在TFT Array制程中，使用刚刚更换过清洗品的载盘生产纯铝薄膜时，基板周边常常会出现小丘，小丘的生成将严重影响产品的电学性能和良率。本文通过生产线上常用的阵列宏微观缺陷检查机对纯铝薄膜表面进行观察并存图，利用MATLAB软件对图片进行分析和计算，实现了工厂端对小丘发生情况的快速识别和比对。本文就可能影响小丘生成的纯铝薄膜膜厚、载盘预处理时间以及成膜后玻璃基板在加热腔室内的停留时间等几个因素设计了正交和单因素实验。实验结果表明，载盘的预处理时间是影响小丘生成的首要因素，当载盘预处理时间大于90 min，膜厚为铝/钼 300/80 nm，成膜后基板在加热腔室不停留的情况下，可以获得表面几乎无小丘的纯铝薄膜，这一结果对有效避免生产过程中因更换清洗品等原因导致的小丘生成具有重要的意义。

纯铝薄膜被广泛用作TFT-LCD的金属电极, 但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘, 对TFT的阵列工艺的良率有较大影响。本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极, 并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究。实验结果表明: 纯铝成膜温度提高, 薄膜的晶粒尺寸增大, 退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低, 温度-应力曲线中屈服点温度也相应提高。量产中适当提高成膜温度, 可以有效抑制小丘的发生, 提高TFT阵列工艺的量产良率。