1 微光夜视技术重点实验室，西安 710065
2 南京理工大学 电子工程与光电技术学院，南京 210094
为提高激活后GaAs光阴极的稳定性，延长微光夜视器件的工作寿命，围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究。通过对比传统“yo-yo”激活法和改进“yo-yo”激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异，发现采用改进“yo-yo”激活法的GaAs光阴极光谱灵敏度更高且稳定性更好。利用四极质谱仪监测真空腔内残气成分和分压强变化，基于衰减模型拟合光电流实验曲线，求得不同残气成分对GaAs光阴极性能衰减影响的权重因子。结果表明水蒸气和二氧化碳的影响最大，甲烷和一氧化碳次之，氢气几乎不产生影响，而其它碳氢有机分子也会产生负面影响。总体看来，改进的“yo-yo”激活法对GaAs光阴极表面吸附含氧气体分子造成的性能衰减具有明显的改善效果，这将有助于提高微光夜视器件中GaAs光阴极的稳定性。
GaAs光阴极 Cs/O激活 残余气体 稳定性 光谱响应 GaAs photocathode Cs/O activation Residual gas Stability Spectral response
1 School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, CHN
2 School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, CHN；School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology, Nanjing 210044, CHN
根据四极质谱仪对超高真空激活系统中残余气体的检测结果，建立了残余气体在Ga0.75Al0.25N（0001）表面的吸附模型。利用密度泛函理论计算了残余气体分子在Ga0.75Al0.25N（0001）表面的吸附。结果表明，残余气体提高了表面功函数。功函数的变化是由吸附质与表面之间的偶极矩引起的，残余气体与阴极材料形成由体内指向表面的偶极矩，不利于光电子的逸出。在紫外波段，残余气体吸附表面的吸收系数小于Cs原子吸附表面的吸收系数。
Ga0.75Al0.25N（0001）表面 密度泛函理论 残余气体 功函数 吸收系数 Ga0.75Al0.25N（0001） surface density functional theory foreign gases work function absorption coefficient
1 微光夜视技术重点实验室，陕西 西安 710065
2 昆明物理研究所，云南 昆明 650223
建立了理论热脱附和原位程序升温脱附方法研究III族氮化物光电阴极部件的热除气过程。基于Malev吸附-扩散除气理论搭建了光电阴极的平板模型，利用Fick第一和第二定理计算得到了除气过程中样品吸附气体浓度、瞬时除气速率以及总的气体脱附量随时间变化的表达式。为便于直观研究，通过截取四阶近似给出不同扩散系数量级下的以上参量随时间的变化曲线。在III族氮化物光电阴极TPD动态法实验中，研究并分析了光电阴极部件在不同恒温除气阶段的残余气体谱图，由此得出进入真空中的脱附气体种类。采用最小二乘法拟合得到: 恒温1 000 K的条件下，N2的扩散系数为5×10-5 cm2/s。通过理论分析结合TPD实验，III族氮化物光电阴极部件热清洗的有效去除污染加热温度得到了有效的评估和验证。
III族氮化物光电阴极部件 程序升温脱附 残余气体谱 Ⅲ-nitride photocathode assembly temperature programmed desorption residual gas spectrum 红外与激光工程
2019, 48(10): 1017002
合肥京东方光电科技有限公司，安徽 合肥 230012
在TFT Array制程中，使用刚刚更换过清洗品的载盘生产纯铝薄膜时，基板周边常常会出现小丘，小丘的生成将严重影响产品的电学性能和良率。本文通过生产线上常用的阵列宏微观缺陷检查机对纯铝薄膜表面进行观察并存图，利用MATLAB软件对图片进行分析和计算，实现了工厂端对小丘发生情况的快速识别和比对。本文就可能影响小丘生成的纯铝薄膜膜厚、载盘预处理时间以及成膜后玻璃基板在加热腔室内的停留时间等几个因素设计了正交和单因素实验。实验结果表明，载盘的预处理时间是影响小丘生成的首要因素，当载盘预处理时间大于90 min，膜厚为铝/钼 300/80 nm，成膜后基板在加热腔室不停留的情况下，可以获得表面几乎无小丘的纯铝薄膜，这一结果对有效避免生产过程中因更换清洗品等原因导致的小丘生成具有重要的意义。
纯铝薄膜 小丘 磁控溅射 残余气体 pure Al films hillock MATLAB MATLAB magnetron sputtering residual gas
1 昆明物理研究所, 云南 昆明 650223
2 北方广微科技有限公司, 北京 100089
氧化硅(SiOx)原位钝化层对氧化钒(VOx)薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性,提高热敏VOx 薄膜层的方阻和电阻温度系数(TCR)稳定性.采用离子束溅射沉积50 nm VOx 薄膜后,紧接着沉积30 nm SiOx 钝化层.通过原位残余气体分析仪(RGA)和衬底温度控制,调节氧化钒薄膜中的氧含量,分析了VOx 单层膜、SiOx/VOx 双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律,原位残余气体分析仪(RGA)和150℃加温工艺提高了VOx 热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性.
离子束溅射沉积 SiOx/VOx 双层膜 残余气体分析仪(RGA) 电阻温度系数(TCR) ion beam sputter deposition SiOx/VOx film stack residual gas analyser temperature coefficient of resistance
1 中国科学院,高能物理研究所,北京,100039
2 中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900
把残余气体散射作为一种各向同性微扰力引入轴对称直流带电粒子束的均方根包络方程,从中得到了气体散射作用导致束流发射度增长的表达式.根据理论研究结果,结合"神龙一号"加速器束流传输系统的设计参数,计算了气体散射作用引起的发射度增长.结果表明,在束流传输系统的真空度高于3×10-4Pa时,残余分子的散射作用可以忽略不计.5×10-4Pa的真空指标是可以接受的.讨论了抑制残余气体分子散射作用的措施,在螺线管线圈能力许可的情况下,采用强磁场小半径传输有利于抑制残余气体散射导致的发射度增长.
均方根包络方程 残余气体散射 发射度增长 RMS envelope equation Scattering effects of residual gas Emittance growth 强激光与粒子束
2004, 16(12): 1618
1 西安交通大学电信学院电子工程系,陕西,西安,710049
2 西安交通大学电信学院电子工程系, 陕西,西安,710049
3 西安应用光学研究所,陕西,西安,710100
研究了光照强度和残余气体对阴极稳定性的影响,比较阴极在管壳内和激活室内的阴极稳定性,用俄歇谱仪分析激活的GaAs光电阴极表面和灵敏度衰减到0时的GaAs光电阴极表面.结果表明,真空中有害残余气体与阴极表面的相互作用是引起阴极衰减的主要原因.
光电发射 像增强器 负电子亲和势 残余气体 稳定性. photoemissi image intensifier negative electron affinity residual gas stability.
