广州大学 物理与电子工程学院, 广东 广州510006
在有效质量近似下, 从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式, 以GaAs/AlxGa1-xAs材料为例进行了数值计算。结果表明, 散射光谱不仅与掺杂浓度有关, 而且与双量子阱的不对称性有关, 随着量子阱不对称性的增加或掺杂浓度的减少, 散射峰发生了红移。本工作对设计新型微电子和光电子器件有一定的指导意义。
拉曼散射 耦合三角量子阱 子带间跃迁 微分散射截面 Raman scattering double triangular quantum wells intersubband transition differential cross-section
