热能区入射中子能量变化范围是1×10-5~5 eV，在这一范围内的中子能量与反应堆内材料靶核热运动的能量相当，中子与靶核的反应过程与其他能区截然不同。在该能区，需要考虑中子与堆内材料发生散射时，化学键、晶格结构以及分子热运动对反应过程的显著影响，对不同类型的材料，需要使用不同的理论方法和处理手段得到供输运程序使用的热化数据。基于热化数据处理的相关理论，研究了热中子散射数据的处理方法，同时在自主研发核数据处理软件RXSP中，开发了相应的核数据处理模块Thermc。在此基础上，使用Thermc模块基于ENDF/BVII.1核数据库加工得到热中子散射数据，经过与经典核数据处理软件NJOY的相应结果的微观比较以及若干宏观基准题检验，热化数据精度与准确性得到充分验证。

为提供探测器或样品辐照实验与靶物质选择所需的辐射环境基本物理参数，利用蒙特卡罗模拟软件FLUKA对BEPCⅡ-LINAC试验束E2线上的第二靶室混合辐射环境进行了模拟计算，得到了以靶心为圆心，半径为1 m的球面上的各次级粒子的微分通量、角度微分截面、磁谱仪方位角上的双微分能谱、靶室内的剂量率分布。

在有效质量近似下, 从理论上研究了非对称双三角量子阱的拉曼散射。推导了导带子带间电子跃迁的微分散射截面表达式, 以GaAs/AlxGa1-xAs材料为例进行了数值计算。结果表明, 散射光谱不仅与掺杂浓度有关, 而且与双量子阱的不对称性有关, 随着量子阱不对称性的增加或掺杂浓度的减少, 散射峰发生了红移。本工作对设计新型微电子和光电子器件有一定的指导意义。

研究了球型半导体量子点中的电子拉曼散射.讨论了初态为导带全满,价带全空时的电子跃迁过程,给出了电子拉曼散射的跃迁选择定则。通过计算GaAs和CdS材料球型量子点中电子及空穴参与拉曼散射的微分散射截面,分别比较了电子和空穴的不同影响,发现电子对拉曼散射的贡献要远大于空穴的贡献;当选取不同量子点半径时,拉曼散射微分散射截面变化也非常明显;量子点尺寸不变的条件下，改变入射光子能量,可以发现,微分散射截面随入射光子能量增大而减小。

利用双势公式的后滞形式并且在入射的快电子近似的取为平面波的基础上,在共面非对称几何条件下计算了电子离化氢原子的三重微分散射截面.变换矩阵元可以解析的表示为结构散射因子和关联因子的乘积形式(关联因子和结构散射因子分别对应于recoil peak和binary peak)解决了由于大量的数值计算而带来的麻烦.本文引入一个有效电荷,通过对它进行调整考虑了变换矩阵元中的第一项的影响.最后把计算结果与实验结果及他人的结果进行了比较,与实验结果符合的很好.

应用第二玻恩近似理论,在电子入射方向平行于激光场的极化方向这种特殊的散射模式下,利用光学势模型对激光场中电子氩原子散射进行了研究。利用静电屏蔽势,分别应用低频近似和第二玻恩近似公式对激光场中电子氩原子散射进行了计算。和实验相比较,第二玻恩近似方法给出了较好的结果;应用这个较好的理论,利用光学势模型进行了计算,得到了更好的结论。

利用3C、DS3C和K3C模型分别计算了共面非对称几何条件下快电子碰撞碳原子K-壳层电离的三重微分截面(TDCS)，将S3C模型计算结果与其它理论结果和实验数据进行了比较。表明：内壳层电离的TDCS呈现出一强的recoil峰，对于某些参量，recoil峰甚至高于binary峰。这一点与外壳层电离过程不相同。K3C模型能够较好地描述这样的电离过程。

在入射光子能量为79.6eV-139eV范围内，利用DS3C模型计算了不同碰撞几何条件下He光双电离的三重微分截面(TDCS)，并与3C模型计算结果、CCC理论结果和实验数据做了比较。表明，末态波函数动量相关效应成功地修正了3C结果，特别当入射光子能量接近阁值时，明显改善了与实验结果的符合程度。

当入射氦原子能量E=0.2 eV时,用密耦方法计算了He-H₂(D₂,T₂)碰撞的微分散射截面.

用密耦方法及Tang-Toennies势模型计算了Ne-H2(D2、T2)碰撞体系的转动激发碰撞截面,得到了H2分子的对称同位素替代情形下Ne-H2(D2、T2)三碰撞体系总截面及微分截面的变化规律.