GaN基脊型激光二极管(LD)的制备工艺中, 面临的一个主要困难是p电极和窄脊结构的制备受到光刻对准精度的严重制约。设计和验证了一种基于背向曝光技术的激光器制备工艺。通过预先沉积一层200nm的铝作为挡光掩模和牺牲层, 利用ICP蚀刻制备出宽为2.5μm的脊型结构, 并使用PECVD沉积SiO2绝缘层。随后采用背向曝光实现二次光刻, 将脊型图形精确地转移到电极窗口, 继而采用湿法腐蚀SiO2绝缘层打开窗口, 借助对的铝掩模腐蚀实现对残余绝缘层的辅助剥离, 从而同时解决了目前脊型激光器电极窗口对准困难和绝缘层侧向腐蚀条件难于把握的问题。
激光器 脊型 背向曝光 掩埋金属层 laser diode ridge backward exposure buried metal mask
1 乐山师范学院物理与电子工程学院, 四川 乐山 614004
2 四川大学物理科学与技术学院纳光子技术研究所, 四川 成都 610064
利用表面等离子体激元（SPP）的局域能量增强效应可提高现有光学光刻的分辨率。背向曝光SPP干涉光刻技术可以大面积制备低成本的纳米周期性结构。理论分析了SPP在背向曝光系统中的共振透射特性，提出了背向曝光SPP干涉光刻系统核心元件银层超透镜的优化设计方法，并利用时域有限差分法和理论解析式模拟计算了背向曝光SPP干涉光场分布，通过优化设计银层超透镜厚度和共振角，实验获得了较好的周期性光刻线条。
表面光学 表面等离波子激元干涉光刻 背向曝光 银层超透镜 光学学报
2011, 31(12): 1222007
