1 长春理工大学 理学院, 吉林 长春 130022
2 吉林农业大学 信息技术学院, 吉林 长春 130018
利用全息光刻开展了808 nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备, 制备与表征了单管芯器件, 单管芯器件条宽100 μm, 腔长2 mm, 输出中心波长807.32 nm, 光谱半宽为0.36 nm, 15～45 ℃温度范围内波长随温度的漂移系数为0.072 nm/℃, 室温单管芯最大连续输出功率达到2.8 W, 阈值电流为0.49 A, 斜率效率为1.05 W/A。测试结果表明808 nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出。
半导体激光器 波长锁定 腔面光栅 全息光刻 semiconductor laser wavelength locking facet grating holography lithography
