1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院大学, 北京100049
首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3 (SAS) 叠层透明导电薄膜作为透明电极, 并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺, 在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能, 其迁移率高达11.36 cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明, 这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。
透明导电薄膜 Sb2O3/Ag/Sb2O3叠层 自组装沟道 透明薄膜晶体管 transparent conductive film Sb2O3/Ag/Sb2O3 multilayer self-assembled channel transparent thin- film transistors
