1 上海理工大学 能源与动力工程学院, 上海 200093
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 先进材料研究部, 江苏 苏州 215123
利用高纯度、高均一性的半导体型单壁碳纳米管(sSWCNT)网络薄膜作为薄膜晶体管的沟道材料, 以高透明度、低薄膜电阻的银纳米线(Ag NW)网络薄膜作为源、漏电极, 在玻璃基底上制备了大面积、高透明度的碳纳米管薄膜晶体管阵列, 并使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜在器件表面通过干法封装获得了较低回滞的电子器件, 得到了整体透明度达到82%以上的器件。提出的器件制备方法不仅制备材料易得, 不需要高温过程, 而且能够实现器件的大面积制备, 对碳纳米管薄膜晶体管的全透明柔性化进程具有推进作用。
半导体型单壁碳纳米管 银纳米线 全透明薄膜晶体管 低回滞 semiconducting singlewalled carbon nanotube (s Ag NW fully transparent thin film transistors low hysteresis
1 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春130033
2 中国科学院大学, 北京100049
首次利用Sb2O3/Ag/Sb2O3 (SAS) 叠层透明导电薄膜作为透明电极, 并采用衍射自组装沟道的方法研制了一种透明薄膜晶体管。通过一次掩模工艺, 在电子束热蒸发过程中的SAS源漏电极之间制作沟道层。SAS透明导电薄膜具有优异的光电性能。研制的透明薄膜晶体管具有良好的器件性能, 其迁移率高达11.36 cm2/(V·s)。整个器件在可见光范围内的平均透过率为80%。结果表明, 这种透明薄膜晶体管有希望应用于低成本透明光电子产品中。
透明导电薄膜 Sb2O3/Ag/Sb2O3叠层 自组装沟道 透明薄膜晶体管 transparent conductive film Sb2O3/Ag/Sb2O3 multilayer self-assembled channel transparent thin- film transistors