GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究

贺永发; 李丁; 曹文彧; 陈钊; 杨薇; 陈伟华; 胡晓东

半导体光电, 2013, 34 (5): 746, 网络出版: 2013-11-01

GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究

Investigation on Electrical Properties of GaN and GaAs Based Semiconductor Laser Diodes

贺永发 ^*李丁曹文彧陈钊杨薇陈伟华胡晓东

作者单位

北京大学宽禁带半导体中心，北京 100871

图 & 表

贺永发, 李丁, 曹文彧, 陈钊, 杨薇, 陈伟华, 胡晓东. GaN基和GaAs基半导体激光器的电学特性研究[J]. 半导体光电, 2013, 34(5): 746. HE Yongfa, LI Ding, CAO Wenyu, CHEN Zhao, YANG Wei, CHEN Weihua, HU Xiaodong. Investigation on Electrical Properties of GaN and GaAs Based Semiconductor Laser Diodes[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2013, 34(5): 746.