GaN外延膜的红外椭偏光谱研究

王静; 李向阳; 刘骥; 黄志明

红外与激光工程, 2005, 34 (5): 544, 网络出版: 2006-05-25

GaN外延膜的红外椭偏光谱研究

GaN epilayer by infrared spectroscopic ellipsometry

王静 ^1,2李向阳 ¹刘骥 ²黄志明 ³

作者单位

¹ 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083

² 山东大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250100

³ 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

基本信息

DOI:	--
中图分类号:	TN21
栏目:	光学技术及应用
项目基金:	--
收稿日期:	2004-12-27
修改稿日期:	--
网络出版日期:	2006-05-25
通讯作者:
备注:	--

王静, 李向阳, 刘骥, 黄志明. GaN外延膜的红外椭偏光谱研究[J]. 红外与激光工程, 2005, 34(5): 544. 王静, 李向阳, 刘骥, 黄志明. GaN epilayer by infrared spectroscopic ellipsometry[J]. Infrared and Laser Engineering, 2005, 34(5): 544.