发光学报, 2011, 32 (3): 266, 网络出版: 2011-03-31
极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响
Influence of Polarization Effect on Optoelectronic Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | O472.3;O472.4 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 国家自然科学基金(60777013); 北京市自然科学基金(4082023); 北京交通大学优秀博士生科技创新基金(141063522)资助项目 |
收稿日期: | 2010-10-01 |
修改稿日期: | 2010-10-27 |
网络出版日期: | 2011-03-31 |
通讯作者: | 路慧敏 (luhuimin@china.com.cn) |
备注: | -- |
路慧敏, 陈根祥. 极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响[J]. 发光学报, 2011, 32(3): 266. LU Hui-min, CHEN Gen-xiang. Influence of Polarization Effect on Optoelectronic Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(3): 266.