极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响

路慧敏; 陈根祥

发光学报, 2011, 32 (3): 266, 网络出版: 2011-03-31

极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响

Influence of Polarization Effect on Optoelectronic Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well

路慧敏 ^*陈根祥

作者单位

北京交通大学光波技术研究所, 北京100044

图 & 表

路慧敏, 陈根祥. 极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响[J]. 发光学报, 2011, 32(3): 266. LU Hui-min, CHEN Gen-xiang. Influence of Polarization Effect on Optoelectronic Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(3): 266.