半导体光电, 2015, 36 (6): 901, 网络出版: 2016-01-22   

短波红外In0.53Ga0.47As探测器的实时γ辐照研究

Study on Real-time γ Irradiation Effect on Short Wavelength Infrared In0.53Ga0.47As Detectors
黄星 1,2,3,*李雪 1,2李淘 1,2唐恒敬 1,2邵秀梅 1,2龚海梅 1,2
作者单位
1 中国科学院上海技术物理研究所 1.传感技术国家重点实验室
2 2. 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
3 3. 中国科学院大学,北京 100039
基本信息
DOI: --
中图分类号: TN215
栏目: 光电器件
项目基金: 国家“973”计划项目(2012CB619200)、 国家自然科学基金项目(61205105, 61376052)
收稿日期: 2015-03-16
修改稿日期: --
网络出版日期: 2016-01-22
通讯作者: 黄星 (hx31842@163.com)
备注: --

黄星, 李雪, 李淘, 唐恒敬, 邵秀梅, 龚海梅. 短波红外In0.53Ga0.47As探测器的实时γ辐照研究[J]. 半导体光电, 2015, 36(6): 901. HUANG Xing, LI Xue, LI Tao, TANG Hengjing, SHAO Xiumei, GONG Haimei. Study on Real-time γ Irradiation Effect on Short Wavelength Infrared In0.53Ga0.47As Detectors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(6): 901.

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