作者单位
摘要
1 安庆师范大学 数理学院, 安徽 安庆 246133
2 河南理工大学 物理与电子信息学院, 河南 焦作 454003
3 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
基于金属/介质/金属(MIM)波导,提出了一种两侧含有双环、四环谐振腔的等离激元波导滤波结构,采用电磁仿真计算了其电磁传输特性,通过场分布分析了透射谱中通带和谷值产生的物理机理。仿真结果表明该结构可实现等离激元诱导透明(PIT),通过改变谐振腔的有效半径,可调节PIT窗口的位置、带宽和慢光效应。计算结果显示在双环和四环谐振结构的PIT窗口,可以实现0.148和0.358ps的信号延迟。这一特性在可调滤波器件、光存储器件和集成光子器件设计上具有潜在应用价值。
金属/电介质/金属波导 等离激元诱导透明 谐振腔 MIM waveguides plasmon induced transparency resonator 
半导体光电
2020, 41(6): 808
作者单位
摘要
1 安庆师范大学物理与电气工程学院, 安徽 安庆 246133
2 中国科学院安徽光学精密机械研究所, 安徽 合肥 230031
利用宽带光源设计了用于探测甲烷浓度的光声光谱系统,在22 Hz最佳调制频率下对甲烷浓度进行了探测,利用Allan方差分析了系统的稳定性,评估了系统的最低探测浓度。研究结果表明,系统对甲烷浓度(体积比)的探测极限能达到1×10 -6。利用宽带光声光谱系统及基于分布反馈式二极管激光光源和长光程吸收池的直接吸收光谱探测系统同时对甲烷浓度进行探测,得到宽带光声光谱系统对甲烷浓度探测的误差约为8%。
光谱学 浓度探测 光声光谱 甲烷 长程吸收池 
激光与光电子学进展
2019, 56(4): 043001
作者单位
摘要
1 南京信息工程大学 物理与光电工程学院, 江苏 南京 210044
2 江苏省大气环境与装备技术协同创新中心, 江苏 南京 210044
在能见度测量中, 为了抑制环境光变化对测量不确定度的影响, 在光发射端对探测光束进行调制, 在接收端对探测到的光电信号进行带通滤波。带通滤波器的特性参数受到工作环境温度变化的影响, 导致频响函数变化, 从而引入能见度测量的不确定度。以二阶有源带通滤波器为例, 从传输函数入手分析了带通滤波器频响幅度随温度变化的规律, 实验测定了频响幅度随温度变化的关系。结果表明: 在高能见度天气状况下, 在15 ℃~40 ℃温度范围内, 环境温度每变化1 ℃, 带通滤波器将贡献约4.5%的不确定度; 低能见度时, 带通滤波器的影响比高能见度时小得多。
能见度测量 光电探测器 二阶压控带通滤波器 温度 不确定度 visibility measurement photoelectric detection second-order voltage controlled band-pass filter temperature uncertainty 
应用光学
2016, 37(5): 712
石铭 1,2,3邵秀梅 1,2唐恒敬 1,2李淘 1,2[ ... ]龚海梅 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
3 中国科学院大学,北京 100049
采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4 μm的延伸波长8×1元线列InGaAs探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层SiNx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 mV偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 nA/cm2和5.5×10-4 A/cm2.
暗电流 钝化 InGaAs InGaAs ICPCVD ICPCVD dark current n-on-p n-on-p passivation 
红外与毫米波学报
2016, 35(1): 47
黄星 1,2,3,*李雪 1,2李淘 1,2唐恒敬 1,2[ ... ]龚海梅 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 1.传感技术国家重点实验室
2 2. 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
3 3. 中国科学院大学,北京 100039
空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高,对辐照损伤越来越敏感。通过实时测试的方法,研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对晶格匹配In0.53Ga0..47As探测器电流-电压特性的影响。发现在反向偏压下,辐照在器件中引起的光电流约为2nA。辐照还会在器件引入累积损伤,导致器件的暗电流增加,并且在辐照结束后的十几分钟内不会发生恢复。当剂量率一定时,器件暗电流随着辐照剂量的增加而增大,但增大的速度趋于变缓。当总剂量一定时,器件接受的辐照剂量率越大,其暗电流的增加越多。
红外探测器 铟镓砷 空间应用 γ辐照 暗电流 infrared detector InGaAs aerospace application γ irradiation dark current 
半导体光电
2015, 36(6): 901
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
2 中国科学院研究生院,北京 100039
3 国家海洋局第二海洋研究所,杭州 310012
本文对国内最新研制的256×1 元GaN 基紫外探测器的原理和特点进行了分析与介绍,研究了对应的信息获取原理与方法,完成了信息获取系统的设计与实现,阐述了基于256×1 元GaN 基紫外探测器的便携式紫外线阵相机的设计过程,完成了相机信噪比测试和外景成像试验。通过与海洋相关研究所合作,实地进行了相机的出海搭载试验,成功获取了海面的紫外图像数据。实验结果表明:海面图像清晰,纹理丰富,为相机便携出海作业和海洋环境监测应用做出了探索性的工作。
紫外 海洋溢油 便携式 UV GaN GaN oil spill portable 
光电工程
2010, 37(10): 134

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