空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高，对辐照损伤越来越敏感。通过实时测试的方法，研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对晶格匹配In0.53Ga0..47As探测器电流-电压特性的影响。发现在反向偏压下，辐照在器件中引起的光电流约为2nA。辐照还会在器件引入累积损伤，导致器件的暗电流增加，并且在辐照结束后的十几分钟内不会发生恢复。当剂量率一定时，器件暗电流随着辐照剂量的增加而增大，但增大的速度趋于变缓。当总剂量一定时，器件接受的辐照剂量率越大，其暗电流的增加越多。

介绍了中国计量科学研究院基于控制环境辐射的黑体辐射源发射率测量原理、方法和装置的研究进展。基于普朗克黑体辐射理论，建立了控制环境辐射的黑体辐射源发射率测量方法的理论模型，并且搭建该测量装置，研究了该方法测量黑体辐射源发射率的结果和影响因素。利用该系统测得的黑体辐射源发射率测量的结果与理论模拟的结果高度吻合，测量重复性(标准偏差)达到0.07%。实验结果表明该方法在测量黑体发射率时不受热辐射环温度重复性的影响，当热辐射环温度与被测黑体温度的差异足够大时，热辐射环温度的变化对黑体发射率测量结果的影响可以满足应用的需求。该方法具备热红外遥感载荷在轨定标黑体的发射率测量的应用潜力，为我国红外遥感在轨定标系统定量化水平的提高提供重要技术基础。