光子学报, 2018, 47 (4): 0423002, 网络出版: 2018-03-15
三级台面InGaAs/InP雪崩光电二极管的低边缘电场设计
Design of Triple-mesa InGaAs/InP Avalanche Photodiode with Low Edge Electric Field
铟镓砷 三级台面 雪崩光电二极管 暗电流 边缘电场 贯穿电压 击穿电压 InGaAs Triple-mesa Avalanche photodiode Dark current Edge electric field Punch through voltage Breakdown voltage
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