发光学报, 2016, 37 (12): 1545, 网络出版: 2016-12-06
基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展
Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure
引用该论文
朱彦旭, 王岳华, 宋会会, 李赉龙, 石栋. 基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1545.
ZHU Yan-xu, WANG Yue-hua, SONG Hui-hui, LI Lai-long, SHI Dong. Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1545.
朱彦旭, 王岳华, 宋会会, 李赉龙, 石栋. 基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1545. ZHU Yan-xu, WANG Yue-hua, SONG Hui-hui, LI Lai-long, SHI Dong. Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1545.
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