发光学报, 2016, 37 (12): 1545, 网络出版: 2016-12-06
基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展
Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20163712.1545 |
| 中图分类号: | TN366;TN386.3;TP212 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 教师队伍建设(PXM2016_014204_000017_00205938_FCG)青年拔尖项目(市级)、 国家自然科学基金(61574011)、 北京市自然科学基金(4142005)、 北京市教委能力提升项目(PXM2016_014204_500018)资助 |
| 收稿日期: | 2016-05-17 |
| 修改稿日期: | 2016-08-03 |
| 网络出版日期: | 2016-12-06 |
| 通讯作者: | 朱彦旭 (zhuyx@bjut.edu.cn) |
| 备注: | -- |
朱彦旭, 王岳华, 宋会会, 李赉龙, 石栋. 基于GaN 基HEMT结构的传感器件研究进展[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1545. ZHU Yan-xu, WANG Yue-hua, SONG Hui-hui, LI Lai-long, SHI Dong. Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1545.
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