1 天津大学化工学院 化学工程联合国家重点实验室, 天津 300350
2 日本北海道大学 全球软物质研究中心, 日本 札幌 001-0021
3 河北大学 化学与环境科学学院, 河北 保定 071002
通过简单的一步反应合成了一种新型含硅氧烷基团的苝二酰亚胺(PDI-TES)荧光传感器。结合小角X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、荧光光谱和动态光散射等实验方法, 阐明了PDI-TES的晶体结构、自组装行为和检测性能。实验结果表明, PDI-TES具有良好的热稳定性和有序的晶体结构。此外, 由于Si—O键的断裂, PDI-TES对氟离子具有较高的选择性和灵敏度, 检出限低至1.58×10-6 mol/L。这些优良的检测性能和简单、低成本的合成方法, 有望使PDI-TES成为一种实用的氟离子检测荧光传感器。
苝二酰亚胺 荧光传感器 硅氧烷 氟离子 perylene diimide fluorescent sensor siloxane fluoride ions
1 北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124
2 中国移动通信集团广东有限公司 惠州分公司, 广东 惠州 516000
铁电材料作为感光功能薄膜的红外器件研究近年来十分活跃, 其良好的压电、铁电、热释电、光电及非线性光学特性以及能够与半导体工艺相集成等特点, 在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景。实验将铁电材料锆钛酸铅作为感光层与GaN 基高电子迁移率晶体管（HEMT)相结合, 成功地制备出了感光栅极GaN基HEMT器件, 并在波长为365 nm的光照下进行探测, 经大量实验测试后发现器件在该波段的光照下饱和电流达到28 mA, 相比无光照时饱和电流提高12 mA。另外, 通过合理改变器件结构尺寸, 包括器件栅长以及栅漏间距, 发现随着栅长的增大, 器件的饱和输出电流依次减小, 而栅漏间距的变化对阈值电压以及饱和电流的影响并不大。由此可知, 改变器件结构参数可以达到提高器件性能的目的并且可以提高探测效率。
高电子迁移率晶体管 感光栅极 器件结构 光伏效应 high electron mobility transistor photo gate device structure photovoltaic effect
北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京100124
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率, 这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器, 对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结; 而后, 着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度, 阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展, 其中, 从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器; 最后, 探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。
AlGaN/GaN异质结 GaN基HEMT传感器 栅结构 光探测器 AlGaN/GaN heterojunction 2DEG 2DEG GaN-based HEMT sensor gate structure photodetector
浙江师范大学 精密机械研究所,浙江 金华 321004
设计了针对薄膜太阳能电池柔性不锈钢衬底的电化学机械复合抛光法以满足其对表面粗糙度、光反射率和有害物质扩散的要求。首先, 设计并制造了一种用于平面加工的复合阴极刀具, 理论分析了它的材料去除机理。然后, 结合法拉第原理和黏着摩擦理论分析了电化学腐蚀行为和摩擦力作用行为, 解决了电化学腐蚀和机械去除钝化膜的匹配一致性问题。最后, 以50 mm×50 mm×0.3 mm规格的304不锈钢为阳极工件, 对提出的方法进行了实验验证。结果显示: 对衬底加工20 min后, 其表面粗糙度Ra从124 nm降到10 nm; 表面反射率从加工前的56.8%提高到62.4%; 表面金属氧化层的形成(氧化铁和氧化铬), 有效阻挡了Fe和Cr离子的扩散。实验显示, 提出的方法是处理柔性不锈钢表面的有效方法, 成本低、效率高
电化学复合抛光 薄膜太阳能电池 柔性衬底 不锈钢薄片 材料去除 黏着摩擦 光反射率 composite electrochemical polishing thin-film solar cell flexible substrate stainless steel foil material removal adhesion friction reflectivity
