半导体光电, 2018, 39 (2): 216, 网络出版: 2018-05-29   

ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响

Effect of ICP Etching on the Photoresist Mask and the Sidewall of the Etching Figure
作者单位
1 上海大学 理学院 物理系, 上海 200444
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
知识挖掘
相关论文
本文相似领域研究进展,
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况:
本文研究领域论文发表情况(统计图):

李雅飞, 李晓良, 马英杰, 陈洁珺, 徐飞, 顾溢. ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响[J]. 半导体光电, 2018, 39(2): 216. LI Yafei, LI Xiaoliang, MA Yingjie, CHEN Jiejun, XU Fei, GU Yi. Effect of ICP Etching on the Photoresist Mask and the Sidewall of the Etching Figure[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2018, 39(2): 216.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!