半导体光电, 2018, 39 (2): 216, 网络出版: 2018-05-29
ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响
Effect of ICP Etching on the Photoresist Mask and the Sidewall of the Etching Figure
ICP刻蚀 光刻胶碳化变性 刻蚀图形侧壁 ICP etching Cl2/Ar Cl2/Ar Cl2/BCl3 Cl2/BCl3 carbonized denaturation of photoresist sidewalls
知识挖掘
相关论文
2020年
2018年
2013年
2007年
本文相似领域研究进展,
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况:
6篇
2篇
2篇
1篇
1篇
本文研究领域论文发表情况(统计图):
李雅飞, 李晓良, 马英杰, 陈洁珺, 徐飞, 顾溢. ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响[J]. 半导体光电, 2018, 39(2): 216. LI Yafei, LI Xiaoliang, MA Yingjie, CHEN Jiejun, XU Fei, GU Yi. Effect of ICP Etching on the Photoresist Mask and the Sidewall of the Etching Figure[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2018, 39(2): 216.