As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响 | 半导体光电 -- 中国光学期刊网

半导体光电, 2018, 39 (5): 607, 网络出版: 2019-01-10

As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响

The Effects of As Molecular State on The Properties of InGaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector

方俊 ^1,2孙令 ^1,2刘洁 ^1,2

作者单位

¹ 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心清洁能源重点实验室, 北京 100190

² 中国科学院大学物理学院, 北京 100049

分子束外延 InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 As元素分子态暗电流 molecular beam epitaxy InGaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector arsenic molecular state dark current

知识挖掘

相关论文

1. 非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究

2024年

2. MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性

2024年

3. 不同生长条件对CdTe/GaAs外延薄膜表面形貌和光学性质的影响

2024年

4. Nd掺杂HfO₂薄膜的分子束外延制备及铁电性

2023年

5. InGaAs/InAlAs光电导太赫兹发射天线的制备与表征

2023年

6. 硅基碲镉汞红外探测器表面钝化研究

2023年

7. 高工作温度碲镉汞p-on-n中波1024×768焦平面探测器

2023年

8. 基于Ⅱ类超晶格的中波红外带间级联探测器（特邀）

2023年

9. 640×512-5 μm InGaAs短波红外焦平面读出电路设计

2023年

10. nBn结构InAs/GaSb超晶格中/长双波段探测器优化设计

2023年

本文相似领域研究进展，

知识服务

本文主要研究领域论文发表情况：

分子束外延

130篇

119篇

102篇

Molecular beam epitaxy

82篇

InGaAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector

1篇

InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器

1篇

arsenic molecular state

1篇

As元素分子态

1篇

本文研究领域论文发表情况（统计图）：

方俊, 孙令, 刘洁. As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响[J]. 半导体光电, 2018, 39(5): 607. FANG Jun, SUN Ling, LIU Jie. The Effects of As Molecular State on The Properties of InGaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetector[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2018, 39(5): 607.

论文摘要 Full Text 图 & 表补充材料基本信息知识挖掘 Metrics PDF全文参考文献 & 引文

本文已被 1 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网

引用该论文： TXT | EndNote

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务，点击此处了解我们的隐私策略。如您需继续使用本网站，请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。

您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!

快速查询高级查询

最近搜索：

大家在搜：人工智能图像处理光子

热门搜索：机器视觉光通信光纤传感器