红外与毫米波学报, 2017, 36 (4): 420, 网络出版: 2017-10-12
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
AInP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode
引用该论文
李彬, 陈伟, 黄晓峰, 迟殿鑫, 姚科明, 王玺, 柴松刚, 高新江. InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36(4): 420.
LI Bin, CHEN Wei, HUANG Xiao-Feng, CHI Dian-Xin, YAO Ke-Ming, WANG Xi, CHAI Song-Gang, GAO Xin-Jiang. AInP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 36(4): 420.
李彬, 陈伟, 黄晓峰, 迟殿鑫, 姚科明, 王玺, 柴松刚, 高新江. InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36(4): 420. LI Bin, CHEN Wei, HUANG Xiao-Feng, CHI Dian-Xin, YAO Ke-Ming, WANG Xi, CHAI Song-Gang, GAO Xin-Jiang. AInP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 36(4): 420.
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