红外与毫米波学报, 2017, 36 (4): 420, 网络出版: 2017-10-12
InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究
AInP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode
基本信息
DOI: | 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.04.008 |
中图分类号: | O47 |
栏目: | |
项目基金: | 中国电子科技集团创新基金项目(KJ1402011) |
收稿日期: | 2017-01-12 |
修改稿日期: | 2017-04-20 |
网络出版日期: | 2017-10-12 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
李彬, 陈伟, 黄晓峰, 迟殿鑫, 姚科明, 王玺, 柴松刚, 高新江. InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36(4): 420. LI Bin, CHEN Wei, HUANG Xiao-Feng, CHI Dian-Xin, YAO Ke-Ming, WANG Xi, CHAI Song-Gang, GAO Xin-Jiang. AInP cap layer doping density in InGaAs/InP single-photon avalanche diode[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 36(4): 420.