发光学报, 2017, 38 (1): 63, 网络出版: 2017-02-09
InGaN/GaN 多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究
Temperature-dependent Carrier Leakage in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-emitting Diodes
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20173801.0063 |
| 中图分类号: | TN383+.1;O484.4 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61564007,11364034)、 江西省科技支撑计划(2014BE50035)资助项目 |
| 收稿日期: | 2016-07-17 |
| 修改稿日期: | 2016-09-24 |
| 网络出版日期: | 2017-02-09 |
| 通讯作者: | 刘诗涛 (464120296@qq.com) |
| 备注: | -- |
刘诗涛, 王立, 伍菲菲, 杨祺, 何沅丹, 张建立, 全知觉, 黄海宾. InGaN/GaN 多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究[J]. 发光学报, 2017, 38(1): 63. LIU Shi-tao, WANG Li, WU Fei-fei, YANY Qi, HE Yuan-dan, ZHANG Jian-li, QUAN Zhi-jue, HUANG Hai-bin. Temperature-dependent Carrier Leakage in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light-emitting Diodes[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2017, 38(1): 63.
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