红外与激光工程, 2016, 45 (5): 0520002, 网络出版: 2016-06-12
不同退火处理的台面型In0.83Ga0.17As pin光电二极管暗电流分析
Dark current analysis of mesa type In0.83Ga0.17As p-i-n photodiodes with different annealing treatment
基本信息
| DOI: | 10.3788/irla201645.0520002 |
| 中图分类号: | TN215 |
| 栏目: | 光电器件与微系统 |
| 项目基金: | 国家973项目(2012CB619200)、国家自然科学基金(61205105, 61007067, 61475179) |
| 收稿日期: | 2015-10-12 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2016-06-12 |
| 通讯作者: | |
| 备注: | -- |
李平, 李淘, 邓双燕, 李雪, 邵秀梅, 唐恒敬, 龚海梅. 不同退火处理的台面型In0.83Ga0.17As pin光电二极管暗电流分析[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(5): 0520002. Li Ping, Li Tao, Deng Shuangyan, Li Xue, Shao Xiumei, Tang Hengjing, Gong Haimei. Dark current analysis of mesa type In0.83Ga0.17As p-i-n photodiodes with different annealing treatment[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(5): 0520002.
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