不同退火处理的台面型In0.83Ga0.17As pin光电二极管暗电流分析 | 红外与激光工程 -- 中国光学期刊网

红外与激光工程, 2016, 45 (5): 0520002, 网络出版: 2016-06-12

不同退火处理的台面型In0.83Ga0.17As pin光电二极管暗电流分析

Dark current analysis of mesa type In0.83Ga0.17As p-i-n photodiodes with different annealing treatment

李平 ^1,2,3李淘 ^1,2邓双燕 ^1,2李雪 ^1,2邵秀梅 ^1,2唐恒敬 ^1,2龚海梅 ^1,2

作者单位

¹ 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室, 上海200083

² 中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室, 上海200083

³ 中国科学院大学, 北京100049

快速热退火延伸波长暗电流 rapid thermal annealing extended wavelength InGaAs InGaAs dark current

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