GaN基肖特基器件中的反常电容特性 | 红外与毫米波学报 -- 中国光学期刊网

红外与毫米波学报, 2010, 29 (3): 161, 网络出版: 2010-07-21

GaN基肖特基器件中的反常电容特性下载： 597次

ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES

储开慧张文静许金通李向阳

作者单位

中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海 200083

电容-电压特性肖特基器件 GaN 基材料 capacitance-voltage characteristic Schottky diode GaN-based material

知识挖掘

相关论文

1. 连续波输出功率111.27mW的G波段四端口平衡式倍频器

2024年

2. 基于GaAs表面等离子体栅阵结构的太赫兹调制器

2023年

3. 用于超外差接收机提供本振源的高功率510 GHz单片集成三倍频器

2022年

4. 毫米波肖特基二极管表征和在片测试方法

2022年

5. 基于对差分结构的高效率285GHz三倍频器

2022年

6. 金刚石辐射伏特效应同位素电池器件研究进展

2022年

7. 肖特基二极管毫米波等效电路模型参数提取方法

2021年

8. 基于平面肖特基二极管的220 GHz二倍频器

2018年

9. 一种高集成高空间分辨率220 GHz检波器

2017年

10. Capacitance-frequency Spectrum Characterization of Organics/Metal Schottky Diodes

2006年

本文相似领域研究进展，

知识服务

本文主要研究领域论文发表情况：

32篇

GaN-based material

2篇

肖特基器件

2篇

电容-电压特性

1篇

capacitance-voltage characteristic

1篇

1篇

本文研究领域论文发表情况（统计图）：

储开慧, 张文静, 许金通, 李向阳. GaN基肖特基器件中的反常电容特性[J]. 红外与毫米波学报, 2010, 29(3): 161. CHU Kai-Hui, ZHANG Wen-Jing, XU Jin-Tong, LI Xiang-Yang. ANOMALOUS CAPACITANCE OF GaN-BASED SCHOTTKY DIODES[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2010, 29(3): 161.

论文摘要 Full Text 图 & 表补充材料基本信息知识挖掘 Metrics PDF全文参考文献 & 引文

引用该论文： TXT | EndNote

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务，点击此处了解我们的隐私策略。如您需继续使用本网站，请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。

您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!

快速查询高级查询

最近搜索：

大家在搜：人工智能图像处理光子

热门搜索：机器视觉光通信光纤传感器