红外与毫米波学报, 2015, 34 (1): 23, 网络出版: 2015-03-23
利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性
Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD
基本信息
| DOI: | 10.3724/sp.j.1010.2015.00023 |
| 中图分类号: | TN23 |
| 栏目: | |
| 项目基金: | 国家自然科学基金资助项目(61204134) |
| 收稿日期: | 2013-08-28 |
| 修改稿日期: | 2014-10-08 |
| 网络出版日期: | 2015-03-23 |
| 通讯作者: | 刘秀娟 (blueskynju@163.com) |
| 备注: | -- |
刘秀娟, 张燕, 李向阳. 利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性[J]. 红外与毫米波学报, 2015, 34(1): 23. LIU Xiu-Juan, ZHANG Yan, LI Xiang-Yang. Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015, 34(1): 23.
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