利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性

刘秀娟; 张燕; 李向阳

doi:doi:10.3724/sp.j.1010.2015.00023

红外与毫米波学报, 2015, 34 (1): 23, 网络出版: 2015-03-23

利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性

Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD

刘秀娟 ^1,2,*张燕 ¹李向阳 ¹

作者单位

¹ 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室, 上海 200083

² 中国科学院研究生院, 北京 100039

补充材料

刘秀娟, 张燕, 李向阳. 利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性[J]. 红外与毫米波学报, 2015, 34(1): 23. LIU Xiu-Juan, ZHANG Yan, LI Xiang-Yang. Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015, 34(1): 23.