红外与毫米波学报, 2015, 34 (1): 23, 网络出版: 2015-03-23
利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性
Characterization of silicon oxide film grown on GaN deposited by ICPCVD
薄膜应力 表面粗糙度 界面态密度 ICP-CVD ICP-CVD SiOx films SiOx film stress surface roughness interface trap density
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