红外与毫米波学报, 2016, 35 (2): 206, 网络出版: 2016-05-11
利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征
Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge(100) by all-solid-source molecular beam epitaxy
Metrics
摘要访问:3805次
PDF 下载:16次
全文浏览:3次
总被查询:0次
何巍, 陆书龙, 杨辉. 利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征[J]. 红外与毫米波学报, 2016, 35(2): 206. HE Wei, LU Shu-Long, YANG Hui. Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge(100) by all-solid-source molecular beam epitaxy[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2016, 35(2): 206.