利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征 | 红外与毫米波学报 -- 中国光学期刊网

红外与毫米波学报, 2016, 35 (2): 206, 网络出版: 2016-05-11

利用全固态分子束外延方法在Ge(100)衬底上异质外延GaAs薄膜及相关特性表征

Initial heteroepitaxial growth and characterization of GaAs on Ge(100) by all-solid-source molecular beam epitaxy

何巍 ^1,*陆书龙 ²杨辉 ²

作者单位

¹ 中国人民武装警察部队学院基础部, 河北廊坊 065000

² 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部, 江苏苏州 215123

分子束外延(MBE) 异质外延 molecular beam epitaxy(MBE) GaAs/Ge GaAs/Ge heteroepitaxial growth

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