发光学报, 2017, 38 (7): 923, 网络出版: 2017-07-05
量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响
Effect of Quantum Well Structure on The Efficiency Droop of V-pits-containing InGaN/GaN Blue LED
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20173807.0923 |
| 中图分类号: | O484.4;TN383+.1 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家重点研发计划重点专项(2016YFB0400600,2016YFB0400601)、 国家自然科学基金重点项目(61334001)、 国家自然科学青年基金(21405076)、 国家自然科学地区基金(11364034)、 江西省自然科学基金(20151BAB207053)、 江西省自然科学基金(20161BAB201011)资助项目 |
| 收稿日期: | 2016-12-21 |
| 修改稿日期: | 2017-01-22 |
| 网络出版日期: | 2017-07-05 |
| 通讯作者: | 莫春兰 (mclan@ncu.edu.cn) |
| 备注: | -- |
吕全江, 莫春兰, 张建立, 吴小明, 刘军林, 江风益. 量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响[J]. 发光学报, 2017, 38(7): 923. LYU Quan-jiang, MO Chun-lan, ZHANG Jian-li, WU Xiao-ming, LIU Jun-lin, JIANG Feng-yi. Effect of Quantum Well Structure on The Efficiency Droop of V-pits-containing InGaN/GaN Blue LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2017, 38(7): 923.
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