发光学报, 2017, 38 (7): 923, 网络出版: 2017-07-05
量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响
Effect of Quantum Well Structure on The Efficiency Droop of V-pits-containing InGaN/GaN Blue LED
硅衬底 InGaN/GaN蓝光LED 效率衰减 V形坑 量子阱结构 Si substrate InGaN/GaN blue LED efficiency droop V-shaped pits quantum well structure
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