1 深圳大学 光电工程学院电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室, 深圳 广东, 518060
2 深圳技术大学 新材料与新能源学院, 深圳 广东, 518118
栅绝缘层是薄膜晶体管(TFT)的关键组成部分, 低成本及低温制备是其未来的发展方向。阳极氧化法是可以实现这些目的的制备工艺技术之一。本文首先采用电子束蒸发在150℃的玻璃基板上制备Mg-Al合金薄膜, 然后使用阳极氧化法形成Mg-Al复合氧化物薄膜, 并对不同制备工艺条件下的薄膜结构、绝缘性能等进行了初步研究。所获得的Mg-Al氧化物薄膜具有均匀的非晶态结构以及较好的绝缘性能, 适合于用作TFT的栅绝缘层。
阳极氧化 栅绝缘层 Mg-Al复合氧化物 Anodic oxidation gate insulating layer Mg-Al composite oxide
1 深圳大学 光电工程学院 光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室，广东 深圳 518060
2 深圳技术大学 新材料与新能源学院，广东 深圳 518118
3 佛山科学技术学院 材料科学与能源工程学院，广东 佛山 528000
基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl2O4体系。缺陷形成能的结果表明，Oi4和VO分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低，两者均在体系中引入深能级，无法增强MgAl2O4的导电性。电子结构的结果表明，Oi4在价带顶和导带底均引入能级，VO在禁带中引入深能级，分别存在这两种本征缺陷的MgAl2O4依然保持良好的绝缘性。
第一性原理 缺陷形成能 电子结构 first-principle MgAl2O4 MgAl2O4 defect formation electronic structure
深圳大学 光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳 518060
采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14~92.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59 cm2V-1s-1。
MgSnO薄膜 电子束蒸发 电学特性 光学特性 MgSnO thin film e-beam evaporation electrical property optical property
1 深圳晶华显示器材有限公司， 广东 深圳 518029
2 深圳大学光电工程学院， 广东 深圳 518060
本项目基于当前国际上的理论研究成果，探讨和研究OCB的器件设计、材料选择和工艺实现方法，并探讨不同的液晶对OCB的视角影响。
对比度 视角 OCB-LCD OCB-LCD contrast viewing-angle
根据场序法彩色液晶显示原理和功能要求,基于XILINX公司Spartan3系列FPGA,采用硬件描述语言verilog设计了一种伪彩液晶显示控制电路,并利用单色液晶屏和三基色的LED背光源完成了场序法伪彩液晶显示控制系统的设计与实现.仿真和测试结果表明,该系统的设计控制灵活可靠,能够实现场序法彩色液晶显示时序和控制功能.
场序彩色 液晶显示控制 FPGA Verilog
