1 深圳大学 光电工程学院 光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室，广东 深圳 518060
2 深圳技术大学 新材料与新能源学院，广东 深圳 518118
3 佛山科学技术学院 材料科学与能源工程学院，广东 佛山 528000
基于密度泛函理论的第一性原理研究了存在本征空位和间隙缺陷的MgAl2O4体系。缺陷形成能的结果表明，Oi4和VO分别在富氧(O-rich)和缺氧(O-poor)条件下的形成能最低，两者均在体系中引入深能级，无法增强MgAl2O4的导电性。电子结构的结果表明，Oi4在价带顶和导带底均引入能级，VO在禁带中引入深能级，分别存在这两种本征缺陷的MgAl2O4依然保持良好的绝缘性。
第一性原理 缺陷形成能 电子结构 first-principle MgAl2O4 MgAl2O4 defect formation electronic structure
深圳大学 光电工程学院光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳 518060
采用电子束蒸发镀膜工艺制备一种新型非晶半导体MgSnO薄膜。薄膜在可见光区具有较高的透过率,其平均透过率范围在86.14~92.05%,薄膜的光学带隙随着Mg含量的增加而增大。霍尔效应测试表明MgSnO薄膜为n型半导体,Mg含量可在一定程度上控制薄膜的载流子浓度,MgSnO薄膜的载流子迁移率最高为1.59 cm2V-1s-1。
MgSnO薄膜 电子束蒸发 电学特性 光学特性 MgSnO thin film e-beam evaporation electrical property optical property
