计算了不同温度下由辐射复合和俄歇复合决定的InAsSb材料的载流子寿命，结果表明，低温下n型InAsSb材料的载流子寿命受限于辐射复合过程，而高温下InAsSb材料的载流子寿命取决于Auger 1复合过程。讨论了势垒阻挡型器件的暗电流解析模型及暗电流抑制机理，通过在nBn吸收层的另一侧增加重掺杂的n型电极层形成nBnn+结构对吸收区内的载流子进行耗尽，吸收区少数载流子浓度降低约两个数量级，从而进一步降低器件暗电流。成功制备了InAsSb-基nBnn+器件，150 K下器件暗电流低至3×10-6 A/cm2，采用势垒结构器件的暗电流解析模型对150 K下器件的暗电流进行拟合分析，结果表明由于势垒层为p型掺杂，在吸收层形成耗尽区，导致器件中的产生复合电流并没有完全被抑制，工作温度低于180 K，器件暗电流受限于产生复合电流，工作温度高于180 K，器件暗电流受限于扩散电流。
铟砷锑 高工作温度 势垒 中红外 InAsSb high operating temperature barrier mid-infrared
针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求，开展了 Pt/CdS肖特基紫外探测器研究，通过对 CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究，并对 Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表明：Pt/CdS肖特基紫外探测器在 0.3～0.5.m下响应率大于 0.2 A/W，对 3～5.m红外波长的平均透过率大于 80%，很好地满足了紫外 -红外双色探测器中的工程化应用要求。
肖特基 紫外探测器 I-V特性 Pt/CdS Pt/CdS, Schottky, UV detector, I-V characteristics
1 昆明物理研究所, 云南昆明 650223
2 浙江大学硅材料国家重点实验室, 浙江杭州 310027
能够直观地“看到”半导体材料中制作的 p-n结, 对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义, 知道 p-n结的厚度及其在样品中的位置, 有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等, 也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用 EBIC(电子束诱生电流)法观察了 InSb半导体器件中的 p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结, 其中肖特基结显示出明显的温度特性：温度降低, 肖特基结响应区域扩大, 温度降至 80 K, Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至 47 .m。用离子注入法在 InSb材料中制成的 p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布, 靠 n区一侧的空间电荷区较薄, 电荷密度较大, 靠 p区一侧的空间电荷区较厚, 电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具, EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。
电子束诱生电流 肖特基结 p-n结 InSb半导体器件 electron beam induced current, Schottky junction,
1 昆物理研究所, 昆明 6500223
2 昆明市中小企业服务中心, 昆明 650041
研究了采用纯度为 99.9%的 In70Pb30合金作为焊料片的低温焊接技术, 分析了焊接时候的影响因素: 焊料片的影响、升温速率、焊接温度、真空度, 通过采用甲酸对焊料片预处理去除氧化层, 在 215℃、5×10-7 torr的真空环境下进行了焊接, 焊接后的样品采用 X-ray、拉力测试系统、检漏仪测试了样品的孔洞率、焊接强度、漏率, 结果表明: 焊接后焊接区域合金均匀、无缝隙、孔洞率少、剪切力高、气密性好, 能够满足非制冷焦平面的窗口封接的气密性要求。
InPb焊料 非制冷焦平面探测器 探测器窗口 低温焊接 InPb solder uncooled focal plane detector detector window low temperature welding
1 重庆大学,通信工程学院,重庆,400044
2 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
介绍了国内非制冷铁电混合式红外焦平面探测器的最新研究进展,给出器件所采用的铁电材料的基本物理和电学特性参数、器件的热隔离技术和相应参数、读出电路的基本结构和性能,详细讨论了影响性能的关键参数和工艺,最后对试验结果进行了分析.
红外 焦平面探测器 非制冷 铁电
1 重庆大学通信工程学院,重庆,400044
2 昆明物理研究所,昆明,650223
本文报道一种128×128元铁电非制冷混合式焦平面探测器,涉及该器件的混合式结构.分析了影响器件性能的关键因素,给出器件所采用的铁电材料的基本物理和电学特性参数,器件的热隔离技术和相应参数,读出电路的基本结构和性能.对实验数据所涉及的原理进行了讨论,最后给出了利用该器件得到的清晰红外热像.
红外 焦平面探测器 非制冷 铁电 IR FPA Uncooled Pyroelectric
