1 浙江大学城市学院 信息与电气工程学院, 浙江 杭州 310015
2 浙江大学 物理系, 浙江 杭州 310027
3 中国科技大学 国家同步辐射实验室, 安徽 合肥 230029
利用同步辐射光电子能谱技术研究了低Sr组分时Pb1-xSrxTe薄膜能带的移动规律,并计算了Pb1-xSrxTe/PbTe异质结中导带帯阶所占比率.当不考虑应力时,该异质结界面导带带阶比率Qc=ΔEC/ΔEg=0.71.当考虑应力时,PbTe能带发生L能谷与O能谷的劈裂,其导带带阶比率分别为QLC=0.47和QOC=0.72.Pb1-xSrxTe/PbTe异质结界面具有类型Ⅰ的能带排列结构,这说明Pb1-xSrxTe/PbTe型量子阱或量子点对电子与空穴都有较强的限制能力.该异质结能带帯阶的精确测量有利于该类三元系半导体异质结在中红外光电器件的研发和应用中发挥重要作用.
同步辐射光电子能谱 PbTe/Pb1-xSrxTe异质结 能带带阶 photoelectron spectroscope PbTe/Pb1-xSrxTe heterostructure band offset
1 浙江大学物理学系, 硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027
2 浙江大学城市学院, 浙江 杭州 310015
半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。 采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料, TPD(N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层, ZnS作电子传输层, 研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。 TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、 ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积, 器件表面平整。 CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm, 属于量子点的带边激子发光。 我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比, 发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光, 而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。 发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果: 一方面电子经过ZnS 层加速后, 碰撞激发CdSe QDs发光; 另一方面, 空穴从TPD层注入CdSe QDs 与QDs中激发的电子复合发光。 我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响, 选择ZnS薄膜的厚度分别是80, 120 和160 nm, 发现随着ZnS层厚度增大, 器件启亮电压升高, EL强度增大, 但是击穿电压降低。 EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移, 对上述实验现象进行了机理解释。
CdSe量子点 电致发光 电子加速 有机/无机复合发光 CdSe quantum dots Electroluminescence Electron acceleration Organic and inorganic composite
1 浙江大学 现代光学仪器国家重点实验室, 浙江 杭州 310027
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 上海 200050
3 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料, 通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极, 制成PbTe结型中红外光伏探测器．在77 K温度下, 器件响应波长为1.5～5.5 μm, 实验测量的探测率为2×1010 cm·Hz1/2W-1, 由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm·Hz1/2W-1．随着温度的升高, 截止波长发生蓝移, 探测率降低．分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素．
光伏探测器 中红外 PbTe PbTe photovoltaic detector mid-IR
