采用一锅法制备出高质量的具有核壳结构的CdSe@ZnS、CdZnS/ZnS量子点。将量子点混入空穴传输材料CBP中形成复合的有源材料,经过几步简单的旋涂操作,制备出相应的绿光、蓝光量子点LED器件。这种方法利用了油溶性量子点和CBP材料的相容性,减少了旋涂操作的步骤,有利于快速制备基于量子点的电致发光器件。基于两步旋涂操作制备的量子点LED,由于阴极与复合有源层之间的能级差较大,导致需要较高的开启电压。在CBP材料中,注入的载流子有可能会被量子点表面缺陷捕获,形成表面态的发光。表面态发光的相对强度依赖于载流子浓度。

制备出两种尺寸的CdSe量子点.结合色度学分析,比较了固化在PMMA基质中两种尺寸CdSe量子点在退火中发生的不同变化以及相应光谱颜色的改变.小尺寸CdSe量子点在退火中有团聚的趋势,退火后荧光明显红移,如果退火温度超过一定范围,会产生显著的双尺寸分布效应,对应的色度坐标有从白光区域向上移动到绿色区域的趋势.较大尺寸的CdSe量子点,其热稳定性相对更好,退火造成荧光红移,对应绿色区域中的色度坐标有向右移动的趋势,但颜色改变不明显,因此更适合于发光显示方面的应用.

半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。 采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料, TPD(N,N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层, ZnS作电子传输层, 研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。 TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、 ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积, 器件表面平整。 CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于～580 nm, 属于量子点的带边激子发光。 我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比, 发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光, 而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的～10倍。 发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果: 一方面电子经过ZnS 层加速后, 碰撞激发CdSe QDs发光; 另一方面, 空穴从TPD层注入CdSe QDs 与QDs中激发的电子复合发光。 我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响, 选择ZnS薄膜的厚度分别是80, 120 和160 nm, 发现随着ZnS层厚度增大, 器件启亮电压升高, EL强度增大, 但是击穿电压降低。 EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移, 对上述实验现象进行了机理解释。

利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料, 通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极, 制成PbTe结型中红外光伏探测器．在77 K温度下, 器件响应波长为1.5～5.5 μm, 实验测量的探测率为2×1010 cm·Hz1/2W-1, 由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm·Hz1/2W-1．随着温度的升高, 截止波长发生蓝移, 探测率降低．分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素．