1 中国科学技术大学纳米科学技术学院, 江苏 苏州 215123
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所先进材料研究部轻量化实验室, 江苏 苏州 215123
为实现InP基单片集成光电子器件和系统,对InGaAsP/InGaAsP分别限制异质结多量子阱激光器结构展开量子阱混杂(QWI)技术研究。在不同能量P离子注入、不同快速热退火(RTA)条件以及循环退火下,研究了有源区量子阱混杂技术,实验结果采用光致发光(PL)谱进行表征。实验结果表明:在不同变量下皆可获得量子阱混杂效果,其中退火温度影响最为显著,且循环退火可进一步提高量子阱混杂效果;PL谱蓝移随着退火温度、退火时间和注入能量的增大而增大,退火温度对蓝移的影响最大,在注入剂量为1×10 14 ion/cm 2,注入能量为600 keV,750 ℃二次退火150 s时获得最大蓝移量116 nm。研究结果为未来基于QWI技术设计和制备单片集成光电子器件和系统奠定了基础。
激光器 量子阱混杂 离子注入 波长蓝移 光致发光谱 激光与光电子学进展
2020, 57(1): 011409
1 上海大学物理系, 上海 200444
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件及相关材料研究部, 江苏 苏州 215123
基于严格耦合波理论，从反射率、吸收增强因子、光生载流子几率和理想光电转换效率几个方面模拟分析了不同锥型亚波长光栅对1 μm厚晶硅电池产生的影响。模拟结果得出：在相同光栅高度下，虽然小周期（P=100 nm）锥形亚波长光栅的表面反射率低于大周期（P=500 nm）结构的表面反射率，但是大周期锥形亚波长光栅薄膜晶硅电池的光生载流子几率和理想光电转换效率高于小周期结构的相应值，且这种区别随着光栅高度增加而增加。在AM1.5D太阳光谱下，最优化的大周期光栅使得薄膜晶硅电池光生载流子几率和理想效率增加1.4倍和1.65倍，而最优化的小周期光栅只能分别增加0.54倍和0.48倍。
光电子学 吸收增强 严格耦合波理论 太阳电池 宽谱减反 激光与光电子学进展
2012, 49(4): 043101
基于超材料的超级透镜能让携带物体高频信息的倏逝波分量参与成像,从而实现对小于半个工作波长的超精细结构的分辨。分析了几种典型的超透镜,如近场、远场和双曲超透镜的工作原理和研究进展,并对超透镜技术在实时生物成像、高密度光存贮、光刻等方面的应用前景进行了分析和总结。
超级透镜 超材料 倏逝波 双曲透镜 超分辨率 superlens metamaterial evanescent wave hyperlens super-resolution
1 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心, 北京 100083
2 云南师范大学太阳能研究所,云南 昆明 650092
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入0.20%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200 mA的注入电流下,获得了50 nm宽的3 dB光带宽和小于0.5 dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于1.1 dB的偏振灵敏度。对于1.55 μm波长的信号光,在200 mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1 dB,同时获得了大于14 dB光纤到光纤的增益,3 dBm的饱和输出功率和大于30 dB的芯片增益。用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器。
光电子学 半导体光放大器 张应变 偏振不灵敏 信号增益 饱和输出功率
1 中国科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心,北京,100083
2 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083
3 长春光机学院,吉林长春,130022
采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40 μm范围内,获得波长漂移达177.5 nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族源无关.此外,对材料富In现象作了合理解释.
窄条宽选区生长 化学气相沉积 波长调制
