双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管, 深、浅pn结光电二极管的光电流比值I2/I1随入射光波长单调增加。文章基于0.5 μm CMOS工艺对双结深光电二极管深、浅结光电流进行了数学建模和Matlab仿真。设计了片上信号处理电路, 将双结深光电二极管深、浅结光电流比值转换成电压输出。仿真结果表明, 信号处理电路的输出与ln(I2/I1)具有良好的线性关系。单片集成的CMOS波长检测芯片可用于未知荧光的波长检测和特异性分析。
双结深光电二极管 波长检测芯片 仿真 double junction photodiode wavelength detection chip CMOS CMOS simulation
浙江工业大学 信息学院 浙江省光纤通信技术重点实验室, 杭州 310023
回顾了荧光检测系统的发展历史, 详细阐述了与半导体CMOS技术结合后荧光检测系统微型化的发展过程, 包括基于CMOS荧光传感芯片的直接式和间接式荧光检测系统。最后, 提出了一种新型的微型化单片集成CMOS荧光传感芯片, 为荧光检测系统的设计和应用提供了新思路。
传感芯片 荧光检测系统 CMOS CMOS sensing chip fluorescence detecting system
利用严格耦合波分析方法和模式传输线理论，对硅薄膜太阳电池结合DBR(Distributed Bragg Reflector，分布布拉格反射器)和衍射光栅的叠层底部背反射器结构进行了优化设计。结果表明，光栅周期、光栅厚度和光栅宽度分别为0.5λg、0.18λg、0.48λg(λg为硅的带隙波长)以及对应的DBR中心波长为0.85μm时，太阳电池对光子的总吸收最强，且总吸收的提高主要来自于对长波光子的吸收增强，提高了薄膜太阳能电池对长波光子的陷光能力。
薄膜太阳电池 光栅 背反射器 光子吸收 film solar cell diffraction grating DBR DBR back reflector photon absorption
