作者单位
摘要
浙江工业大学 信息学院, 杭州 310023
双结深光电二极管包括一深一浅两个光电二极管, 深、浅pn结光电二极管的光电流比值I2/I1随入射光波长单调增加。文章基于0.5 μm CMOS工艺对双结深光电二极管深、浅结光电流进行了数学建模和Matlab仿真。设计了片上信号处理电路, 将双结深光电二极管深、浅结光电流比值转换成电压输出。仿真结果表明, 信号处理电路的输出与ln(I2/I1)具有良好的线性关系。单片集成的CMOS波长检测芯片可用于未知荧光的波长检测和特异性分析。
双结深光电二极管 波长检测芯片 仿真 double junction photodiode wavelength detection chip CMOS CMOS simulation 
半导体光电
2017, 38(6): 784

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