1 安徽理工大学 电气与信息工程学院, 安徽 淮南 232001
2 安徽理工大学 数理学院, 安徽 淮南 232001
3 南京大学电子科学与工程学院 微结构国家实验室, 江苏 南京 210093
高迁移率的二维电子气在纤锌矿结构Zn1-xMgxO/ZnO异质结构中被发现, 二维电子气的产生很可能是由于这两种材料界面上存在不连续性极化。本文基于第一性原理GGA+U方法研究了Zn1-xMgxO合金的自发极化随Mg组分x的变化关系, 其中极化特性的计算采用Berry-phase方法。我们将极化分为3个部分: 电子极化、晶格极化以及压电极化, 结果表明压电极化在总极化中起着主要作用。
氧化锌 氧化镁锌 自发极化 Berry-phase方法 ZnO MgZnO spontaneous polarization Berry-phase method
南京大学电子科学与工程学院 南京微结构国家实验室， 江苏 南京210093
以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源，采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现，t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应，比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率，得到的ZnO薄膜晶体质量更优，同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2·V－1·s－1， 表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。
氧源 ZnO ZnO MOCVD MOCVD O precursor t-BuOH t-BuOH
南京大学 电子科学与工程学院和南京微结构国家实验室， 江苏 南京 210093
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层，采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下，栅绝缘层产生钝化，从而能够改善器件的性能。
异质结场效应管 迁移率 ZnO/ZnMgO ZnO/ZnMgO heterostructure field-effect transistor(HFET) mobility
南京大学物理系 南京微结构国家重点实验室, 江苏 南京210093
利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法，在2.5 kPa和5 kPa生长压强下，分别以sapphire(Al2O3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明，衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5 kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。
ZnMgO薄膜 衬底 生长压强 ZnMgO films substrate pressure
