为获得高质量的β-Ga2O3薄膜，对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga2O3薄膜，并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明，950 ℃下GaN薄膜无法完全氧化，而直接1 150 ℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下，通过两步氧化法，GaN薄膜被完全氧化，且得到的β-Ga2O3薄膜具有明显的沿<201>方向的晶向，样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950 ℃下氧化3 h之后在1 150 ℃下氧化1 h，此时得到样品的纳米线结构最明显，其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性，我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。

目的: 本文以糖原合成酶激酶3β(glycogen synthase kinase 3 beta, Gsk3β)为研究对象, 探讨Gsk3β基因在红鲫胚胎发育及成体组织中的表达模式, 以及在镉金属胁迫下的分子应答初探。方法: 采用RACE克隆技术获得红鲫Gsk3β cDNA全长, 半定量RT-PCR技术和Western Blot技术分析Gsk3β在mRNA水平和蛋白水平的表达情况, 最后通过特定浓度的镉处理分析Gsk3β的表达情况。结果: 通过克隆发现Gsk3β基因全长为2 195 bp, 5′端非编码区(UTR)共692 bp, 3′非编码区有237 bp。编码含421个氨基酸的蛋白质, 蛋白分子量约为46 846.40, 等电点为9.05, 且与斑马鱼和青鳉的亲缘关系最近。Gsk3β基因在胚胎发育和成体组织中呈现不同程度的表达, 在不同组织中, Gsk3β在大脑组织表达最丰富, 其次在眼睛, 肌肉和精巢中表达相对较高, 在卵巢、肝脏、肾脏和皮肤组织表达量相对较低。在不同发育时期, Gsk3β在两细胞期没有表达, 之后在后续的不同时期呈现差异表达, 出膜期表达最强, 其次为肌效期、体节期、神经胚、囊胚期表达次之, 在黑色素期和体色素期蛋白表达较弱。在镉处理后的红鲫肝脏中检测Gsk3β基因的表达, 发现Gsk3β表达下调。结论: Gsk3β基因在红鲫胚胎发育中起着重要作用, 且参与了镉金属胁迫应答, 但其具体的分子机制仍有待进一步研究。

近百年来, 因为酞菁在信息等很多领域都有很广泛的应用, 所以一直是科学家研究的热点课题。 随着科技的不断发展, 人类社会不断进步的需要, 具有新功能的新式酞菁合成工作, 依旧是酞菁科技工作者的目标。 为此, 改变合成路线, 合成了新型的酞菁材料: 4,8,15,22-四［3,3-4(羟苯基)-3H-异苯并呋喃酮］酞菁镍(铜), 3-［3, 3-二(4-羟苯基)-3H-异苯并呋喃酮］邻苯二腈分别与铜和镍盐反应, 以正戊醇为溶剂, 用1,8-二氮杂二环(5,4,0)十一碳-7-烯(DBU)为催化剂, 在一定温度下合成4,8,15,22-四［3,3-二(4-羟苯基)-3H-异苯并呋喃酮］酞菁。 通过对合成产物进行测定, 证明合成物质是目标产物, 并研究其相关紫外光谱, 荧光光谱和光致发光光谱的谱学性质。

目的：本文主要以金鱼中的dvl-3基因为研究对象,研究dvl-3在金鱼不同的组织和胚胎发育时期中可能行使的功能。方法：采用RACE克隆技术获得金鱼dvl-3基因的cDNA全长,再利用半定量RT-PCR技术和蛋白免疫印记（Western blot）技术分析研究dvl-3基因在mRNA水平和蛋白水平上的表达差异。结果：在金鱼不同组织与胚胎发育时期,dvl-3基因在mRNA水平和蛋白水平上具有显著的表达差异性。结论：由此可见散乱蛋白dvl-3在金鱼不同的组织和胚胎发育时期中可能行使不同的功能,但其具体的功能及机制还有待进一步研究。

对新型取代基酞菁和酞菁晶体合成和性质进行了研究.因为酞菁在信息、医疗、化工等众多领域有很广泛的应用,所以近百年来一直是科学家研究的热点课题.酞菁经过近百年的研究,科学家已经合成了上万种酞菁衍生物,但是,随着科技的不断进步,人类社会不断发展的需求,具有新特性的新型酞菁的获得仍是相关科技工作者孜孜以求的目标.为此,在本论文中,我们改进了合成方法,合成了新型的桥联酞菁材料:1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜,表征其结构.并研究电化学性质.首先以丙二酸和3,6-二羟基邻苯二腈为起始原料,以水为溶剂,加入浓硫酸作为催化剂,先合成前体,即丙二酸3,3′-二(6–羟基邻苯二腈)脂.然后再用丙二酸3,3′-二(6-羟基邻苯二腈)脂与一水合乙酸铜,以正戊醇为溶剂,以DBU为催化剂,合成了1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜,其分子式是C38H16N8O12Cu.对1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22–二(桥联二丙羧基)酞菁铜进行紫外吸收及荧光光谱测定,证明合成产物是目标产物,并研究了1,11,15,25-四羟基-4,8,18,22-二(桥联二丙羧基)酞菁铜的电化学性质.

在Si(111)衬底上分别预沉积0,0.1,0.5,1 nm厚度的In插入层后, 采用等离子辅助分子束外延法制备了纤锌矿结构的InN材料, 结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、吸收谱及光致发光谱研究了不同厚度的In插入层对外延InN晶体质量和光学特性的影响。XRD和SEM的测试结果表明, 在Si衬底上预沉积0.5 nm厚的In插入层有利于改善外延InN材料的形貌, 提高材料的晶体质量。吸收谱和光致发光谱测试表明, 0.5 nm厚In插入层对应的InN样品吸收边蓝移程度最小, 光致发射谱半峰宽最窄, 并且有最高的带边辐射复合发光效率。可见, 引入适当厚度的InN插入层可以改善Si衬底上外延InN材料的晶体质量和光学特性。

通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，在c-Al2O3衬底上生长本征和 Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试，在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰，BV发射峰)，范围在2.8~3.3 eV之间，又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高，BV发射峰峰位发生红移，且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光，并计算了Cu受主离化能。

对1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁基酞菁铜、 1,4,8,11,15,18,22, 25-八氧代丁酸甲酯基酞菁锰、 1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁铜、 1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁锌这四种新型八取代酞菁的红外光谱、 紫外光谱和荧光光谱的性质进行了研究与比较。 这四种酞菁在红外光谱中没有规律可循； 在紫外光谱中这四种酞菁的特征吸收带的大小顺序为: 酞菁铜(1)>酞菁锌(4)>于酞菁铜(3)>于酞菁锰(2)； 在荧光光谱中酞菁铜(1)>酞菁锰(2)>酞菁铜(3)>酞菁锌(4)荧光光谱发射光谱峰。 原因主要是和配体的不同和中心配位为金属原子不同引起的。

制作了以3种新型不对称酞菁铜为发光层的电致发光器件并研究了其电致发光性质。 3种新型不对称酞菁铜为2(3)-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(1), 2(3),9(10),16(17)-三-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(2)和2(3),16(17)-二-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(3)。 其中以(1)和(3)为发光层的器件结构ITO/NPB (40 nm)/Phthalocynine(Pc)(30 nm)/AlQ(43.8 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)。 其中以(2)为发光层的器件结构为: ITO/NPB(30 nm)/Pc(30 nm)/BCP(20 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)。 以(1),(2)和(3)为发光层与Q带相关联的发射波长分别出现在869和1 062 nm； 1 050和1110 nm； 和1 095和1 204 nm。 上述发射波长的不同是因为取代基的数目和真空镀膜的分子聚集态不同造成的, 所以3种不对称酞菁铜的发射峰值和半峰宽差别较大, 而且由此也引起斯托克司位移的不同。