作者单位
摘要
1 中国科学院 光电技术研究所,四川 成都 610209
2 中国科学院大学,北京 100049
3 中国人民解放军63870部队,陕西 西安 714200
地面车辆目标检测问题中由于目标尺寸较小,目标外观信息较少,且易受背景干扰等的原因,较难精确检测到目标。围绕地面小尺寸目标精准检测的问题,从目标特征提取的角度提出了一种特征融合的子网络。该子网络引入了重要的局部细节信息,有效地提升了小目标检测效果。针对尺度、角度等的变换问题,设计了基于融合层的扩展层预测子网络,在扩展层的多个尺度空间内匹配目标,生成目标预测框对目标定位。在车辆小目标VEDAI(vehicle detection in aerial imagery)数据集上的实验表明,算法保留传统SSD(single-shot multibox detector)检测速度优势的同时,在精度方面有了明显提升,大幅提升了算法的实用性。
计算机视觉 目标检测 深度学习 车辆小目标 特征融合 computer vision target detection deep learning small vehicle target feature fusion 
应用光学
2020, 41(1): 150
作者单位
摘要
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术重点实验室, 陕西 西安 710119
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 西安炬光科技股份有限公司, 陕西 西安 710077
可靠性是高功率半导体激光器(HLD)的一个重要性能。热加速寿命试验是HLD寿命评价和可靠性分析的重要技术。在本文中, 我们在高温测试平台上对铟焊料封装的18个中心波长为808 nm的传导冷却型HLD单巴器件在恒定电流60 A条件下进行55, 65, 80 ℃ 3组热沉温度下的热加速寿命试验。根据器件输出功率在加速寿命测试期间的降低趋势, 得到该批HLD器件的寿命分别为1 022, 620, 298 h, 再根据Arrhenius公式得到该器件的激活能为0.565 41 eV, 从而外推得到器件在室温下的寿命为5 762 h。可见55 ℃下器件寿命加速了5倍, 而在65 ℃下寿命加速了8.5倍, 80 ℃下寿命加速17倍。此外, 我们还分析了器件热加速寿命试验后的性能。
高功率半导体激光器 热加速寿命测试 可靠性 退化 high power semiconductor laser thermally accelerated ageing test reliability degradation 
发光学报
2019, 40(9): 1136
鲁瑶 1,2,*聂志强 1陈天奇 1,2张普 1[ ... ]刘兴胜 1,3
作者单位
摘要
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术重点实验室,西安 710119
2 中国科学院大学,北京100049
3 西安炬光科技股份有限公司,西安710077
利用有限元模型分别研究了回流过程和工作过程中传导冷却高功率半导体激光器的正应力、切应力和形变,并借助理论公式分析了热应力和smile的产生原因和分布规律.分析表明,在回流过程中热膨胀系数不匹配造成的切应力是正应力和变形的根源,而在工作过程中,热膨胀系数不匹配和温度梯度共同影响着热应力和变形.在此基础上,将回流导致的剩余应力和变形作为初始条件施加在有限元模型上,对工作状态器件的热应力和smile进行模拟,以获得更精确的模拟结果.最后,通过有限元模型和实验手段研究了不同热沉温度对 smile 的影响.结果表明,工作过程会导致器件的smile增大,热沉温度的升高也会造成smile进一步增大.
激光器 高功率半导体激光器 有限元方法 热应力 温度 Laser High powersemiconductor laser Finite Element Method Thermal stress Temperature 
光子学报
2017, 46(9): 0914001
作者单位
摘要
1 中国科学院 西安光学精密机械研究所, 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 西安 710119
2 西安炬光科技有限公司, 西安 710119
以硬焊料传导制冷,30%填充因子半导体激光器阵列为例,建立了三维有限元模型,对阵列内部各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明,当其连续波工作时间大于1.2 ms后,阵列内发光单元之间出现热串扰现象;当次热沉由CuW合金改为铜金刚石复合材料时,阵列内发光单元自热阻和相邻发光单元的串扰热阻降低,有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单元周期不变,发现随阵列填充因子的增加,器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低,而发光单元间的热串扰特性对此变化并不敏感;保持阵列单个发光单元输出功率,发光单元尺寸及阵列宽度不变,增加发光单元个数后,阵列内各发光单元之间热串扰加剧,填充因子越高阵列升温速率越快;但在最初约70 μs内,包含不同数目发光单元的阵列最高温度差异仅约0.5 ℃,有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。
激光器 热串扰 有限单元法 半导体激光器阵列 热阻 laser thermal crosstalk finite element method diode laser array thermal resistance 
强激光与粒子束
2013, 25(8): 1904
丁晓尘 1,*张普 2熊玲玲 2欧翔 1[ ... ]刘兴胜 2,3
作者单位
摘要
1 西安交通大学应用物理系, 陕西 西安 710049
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西 西安 710119
3 西安炬光光电科技有限公司, 陕西 西安 710119
国家863计划(2009AA032704)和中国科学院“计划”资助课题。
激光器 半导体激光器 激光器巴条/阵列 热行为 空间光谱 铟焊料 
中国激光
2011, 38(9): 0902006

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