在波片相位测试中，引入0~2π涡旋相位板，通过构建波片相位延迟量和出射光的中空椭圆光斑方位角之间的函数关系，对相位延迟量进行仿真计算，实现对波片测试方法的论证分析。在理论上将波片相位延迟量的测量范围扩大到了270°，理论测量误差不超过±0.71%。

白光LED作为新一代高效、 环保型照明光源, 被给予了极高的厚望。 目前商业中白光LED主要采用蓝色LED芯片激发黄色YAG荧光粉的方式来实现白光, 发光效率能达到理想值, 但存在红色光谱区域缺失的问题, 造成关键性指标显色指数偏低, 限制了白光LED在橱窗照明、 医疗照明和投影显示等高品质需求领域的应用。 而目前研究较多有关红色荧光粉的光效与稳定性, 对红色氮化物荧光粉的宽光谱设计研究尚有待深入探索。 采用高温固相法成功制备出了高效宽光谱红色Ca0.992AlSiN3∶0.008Eu2+荧光粉, 通过X射线衍射仪(XRD)和荧光光谱仪(PL)等测试技术对荧光粉样品的结晶度和发光性能进行了表征分析； 基于第一性原理研究了CaAlSiN3∶Eu2+荧光粉的晶体结构和能带结构, 研究了Eu2+掺杂CaAlSiN3发光过程中的能量跃迁机理, 从其微观性质方面分析探讨了荧光粉的光谱性能； 基于蒙特卡罗理论和遗传算法建立了白光封装模型, 并结合CaAlSiN3∶Eu2+进行了白光LED应用封装和测试, 研究了CaAlSiN3∶Eu2+荧光粉的封装样品的光色特性。 研究结果表明, 利用高温气压炉合成Ca0.992AlSiN3∶0.008Eu2+材料具有较高的结晶度, 且微量的稀土元素Eu掺杂不会破坏其晶体结构, 仍具有较好的稳定结构； 通过PL光谱测试发现其具有极宽的激发光谱（200～600 nm）, 能被蓝光或者紫外LED芯片有效激发, 当在450 nm波长激发下, 荧光粉发出峰值为650 nm的发射光谱, 光谱半高宽为91.4 nm, 通过晶体的能带分布可知其发射光谱为5条高斯光谱曲线, 归结于Eu2+ 的5d能级向4f能级跃迁, Ca0.937 5AlSiN3∶0.062 5Eu2+荧光粉的能量带隙为3.14 eV的间接带隙, 主要是由Ca-3p, Eu-3d, N-2p, Al-3p, Si-3p电子态决定, 使得材料发出红色光谱； 通过建立白光光谱模型指导实现了白光LED应用封装, 采用蓝光LED芯片与Ca0.992AlSiN3∶0.008Eu2+红色荧光粉、 β-sialon绿色荧光粉进行组合封装, 光谱测试结果与白光封装模型模拟值（Ra=93.93, R9=72.77, Tc=3 400 K）的趋势接近, 且获得了高效高显色性的白光LED（η=101 lm·W-1, Ra=92.1, R9=74.9, Tc=3 464 K）, Ca0.992AlSiN3∶0.008Eu2+所提供的红光光谱能够有效地提高白光LED的显色指数, 同时在LED的发光效率、 色温和物理化学稳定性等方面具有极高的价值, 是一种很有应用前途的高品质照明白光LED用红色荧光粉材料。

通过建立原子层沉积(ALD)脉冲气体流场理论模型,分析了沉积过程中前驱体浓度的变化趋势,得到了原子层沉积腔中的优化沉积区域。在此基础上,开展了半球基底上Al₂O₃和TiO₂薄膜的均匀性实验。实验结果表明, 最佳优化区域内Al₂O₃和TiO₂薄膜的最大非均匀性分别为1.81%和1.74%,相比于非优化区域分别减小了47.1%和50.8%。当入射激光与半球中心轴的夹角为θ=0°时,制备的减反膜反射率在550 nm处达到最小值0.04%,θ=60°时反射率最大,为0.5%,而在其余位置反射率曲线均存在不同程度的偏移,当θ=60°时,偏移最大,为6 nm。

采用CaCO3, MgO, SiO2, Eu2O3原料, 通过高温固相法制备了Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉。 通过XRD图谱和PL光谱图, 研究了Eu的掺杂浓度与助溶剂(NH4Cl, BaF2)对Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉结构、 发光性能和热稳定的影响。 XRD图谱对比结果表明, 制备的Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉XRD图与理论计算得到的图谱几乎一致。 Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉在360～450 nm有很强的激发强度, 并且在440 nm激发下发射峰值波长为530 nm的发射光。 随着Eu2+离子浓度的增加, 发射光谱出现了红移, 且在Eu2+离子浓度约为6%时发生了浓度猝灭现象。 当添加NH4Cl和BaF2作为助溶剂, Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉的发光强度有一定提高。 与未添加助溶剂的Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉的发光强度相比, 添加NH4Cl助溶剂后发光强度增加了70%。 此外, 当温度升高至150 ℃时, Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉和商用绿色荧光粉的发光强度分别降低了7.6%和14%, 表明Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉具有良好的热稳定性。 这些发光性能均表明Ca3Mg3Si4O14∶Eu2+荧光粉是是一种可应用于固态照明的有前景的绿色荧光粉。

采用基于高温固相的两步合成法, 以BaSiO3为前驱体制备了Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉, 主要研究了不同Eu2+掺杂浓度对Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉发光性能的影响机理, 并与传统高温固相法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉的发光机理进行了对比分析。 结果表明: 与传统高温固相法相比, 两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉具有更高的纯度和结晶度。 Eu2+掺杂浓度大于9%时, 两步法和传统高温固相法制备的样品都发生浓度猝灭现象。 传统高温固相法与两步法制备Ba3Si6O9N4: Eu2+荧光粉的浓度猝灭机理一致, 均是由于电偶极-电偶极相互作用造成的。 在330 nm的激发光下, 两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉的发射光谱（峰值489 nm）与传统的高温固相法（峰值512 nm）相比, 出现了蓝移的现象, 更加接近于理论发射光谱中心（480　nm）。 能谱分析结果显示, 两步法制备的荧光粉的元素组分更接近理论值, 能有效降低晶格缺陷。 两步法制备的Ba3Si6O9N4∶Eu2+荧光粉样品具有更好的热稳定性, 更利于白光LED的应用。

以乙酰丙酮铱[Ir(acac)3]和高纯氧为前驱体，采用原子层沉积(ALD)方法在基板温度为340 ℃的石英玻璃和硅基板上制备了金属铱薄膜。采用反射光谱测试仪、X射线电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等手段对不同厚度薄膜的微结构、表面形貌和光学性能进行了研究。结果表明，原子层沉积制备的Ir薄膜中元素纯度较高（大于95%），表面粗糙度低，并呈现多晶纳米颗粒。同时，Ir薄膜在紫外波段表现出较好的光学特性，可以用于制作Ir金属紫外光栅等光学器件。

基于可逆饱和光转移过程的荧光超分辨显微技术，从原理上打破了原有的光学远场衍射极限对光学系统极限分辨率的限制，在生物、化学、医学等多个学科拥有广泛的应用前景。回顾了近年来超分辨显微研究的历史，综述了目前常见的几种基于可逆饱和光转移过程的荧光超分辨显微方法，详细描述了各自的技术特点并对比了其优缺点，阐述了相关领域内最新的研究工作进展。

以乙醇钽[Ta(OC2H5)5]和水蒸气为前驱体，采用原子层沉积（ALD）方法分别在基板温度为250 ℃和300 ℃的K9和石英衬底上制备了Ta2O5光学薄膜。采用分光光度计、X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等手段对薄膜的光学特性、微结构和表面形貌进行了研究。结果表明，用ALD方法制备的Ta2O5薄膜在刚沉积和350 ℃退火后均为无定形结构，而250 ℃温度下沉积的薄膜其表面粗糙度低，聚集密度很高，光学均匀性优，在中紫外到近红外均表现出很好的光学特性，可以作为高折射率材料很好地应用于光学薄膜中。

利用琼斯矩阵分析了大角度入射情况时薄膜诱导的偏振像差，通过理论推导提出了减小薄膜诱导偏振像差的膜系设计方法，即在满足最基本的透射率要求的前提下，将尽可能的减小任何入射角度的透射率差和相位差作为膜系优化的两个附加条件。为了验证所提出理论的正确性，分别以不同的附加优化条件设计了两个减反膜进行对比，这两个减反膜分别代表了透射率差和相位差较大和较小的两种不同情况。通过对这两个不同减反膜偏振像差的进一步数值模拟，得到了透射率差和相位差均小的减反膜引发的偏振像差较小的结果，这一结果验证了理论的正确性。