面对可用焦深日益缩短的趋势，高精度的焦面控制技术显得尤为重要。针对双工件台光刻机中采用的焦面控制技术，介绍了基于偏振调制的光栅检焦技术及其测量原理，研究了双工件台光刻机中的调平调焦技术。基于平面拟合、最小二乘法及坐标变换公式推导了曝光狭缝内离焦量计算公式；研究了一种离焦量解耦算法，该算法将曝光狭缝内离焦量解耦为调平调焦机构三个压电陶瓷的独立控制量，并使狭缝曝光场中心在调平调焦运动过程中不发生平移。经仿真分析表明，该算法可用于调平调焦精度优于10 nm 的高精度调焦调平系统, 能满足线宽小于100 nm 投影步进扫描光刻机的需要。

利用琼斯矩阵分析了大角度入射情况时薄膜诱导的偏振像差，通过理论推导提出了减小薄膜诱导偏振像差的膜系设计方法，即在满足最基本的透射率要求的前提下，将尽可能的减小任何入射角度的透射率差和相位差作为膜系优化的两个附加条件。为了验证所提出理论的正确性，分别以不同的附加优化条件设计了两个减反膜进行对比，这两个减反膜分别代表了透射率差和相位差较大和较小的两种不同情况。通过对这两个不同减反膜偏振像差的进一步数值模拟，得到了透射率差和相位差均小的减反膜引发的偏振像差较小的结果，这一结果验证了理论的正确性。

The strong absorption of materials in the extreme ultraviolet (EUV) above ~50 nm has precluded the development of efficient coatings. The development of novel coatings with improved EUV performance is presented. An extensive research was performed on the search and characterization of materials with moderate absorption, such as various lanthanides. Based on this research, novel multilayers based on Yb, Al, and SiO have been developed with a narrowband performance in the 50–92 nm range. Furthermore, procedures for the design of multi-material multilayers with absorbing materials have been derived, which resulted in multilayers with enhanced reflectance.

蘸笔纳米光刻术(Dip-pen nanolithography,DPN)利用原子力显微镜(AFM)的探针把"墨水"分子传输至基底表面,使之形成自组装单分子层.DPN作为一种在物质表面构造纳米结构的技术,以其高分辨率、定位准确和直接书写等优点,在物理、化学、生物等领域的纳米尺度研究中得到了广泛应用.本文着重综述近年来DPN在纳米电路、生物芯片、化学检测、催化反应、纳米刻蚀等方面的新应用,以及它在实验研究中取得的新进展,分析了相应实验的原理,展示了这种技术的优势和发展前景.

提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型,通过将激光器重复频率作为可调参量并引入有效脉冲个数的概念,获得了有效剂量区间内任意给定剂量所应采取的优化策略并给出了剂量控制参量的具体计算方法。理论推导和模拟计算结果表明,新算法既保持了原算法在生产率和剂量精度优化方面的优势,又改进了原算法在激光器成本优化目标上的缺陷。随着准分子激光器及其剂量控制技术的进一步发展,新算法可望更能显示出其优越性并具有更广阔的应用前景。

提出一种制作连续沟形微光学元件的新方法。用移动物面上二元图案的方法来获得连续灰度的记录,再用卤化银明胶处理技术,把灰度银像转化成明胶硬度潜像,最后采用酶蚀显影工艺把潜像显现为连续沟形的浮雕结构。文中给出了原理分析和实验验证,初步结果令人满意。

从预硬化重铬酸盐明胶光致抗酶蚀的成像机理出发,分析和推导了酶蚀成像特性曲线。并从实验上考察了几个主要因素对其线性动态范围的影响。其结果对于明胶酶蚀成像技术的应用,特别是对保真沟形微结构光学元件的制作具有指导意义。

描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软X射线源而进行的接近式软X射线光刻研究。采用正性光刻胶PMMA,得到了一些新的研究结果。

描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究。采用负性辐射线光刻胶聚氯甲基苯乙烯(PCMS)，得到了一些新的实验结果。