液晶滴下工艺是TFT- LCD生产中的关键技术。液晶的滴下量一般选取在不发生低温气泡和高温重力Mura的范围内, 这被称为LC Margin。LC Margin越窄, 液晶滴下的中心量距离上下限的范围 越小, 生产过程中随工艺波动容易出现低温气泡和重力Mura不良。本文针对LC Margin窄的产品(≤3%)提出了根据彩色滤光片柱状隔垫物的高度进行整批次分液晶面板进行液晶滴下的方法。生产过 程中对该方法产出的液晶面板进行高低温测试, 结果显示没有重力Mura及低温气泡出现, 优化了液晶滴下工艺, 为LC Margin窄的产品在生产中应用提供了一种新的解决方案。

异物是TFT-LCD制程常见的顽固缺陷, 在高世代线(8.5代线)以摩擦工艺生产mobile产品时不良发生率更高。本文针对8.5代线生产Mobile产品时所产生的异物进行原因及机理分析, 发现该异物来源于摩擦制程, 产生机理为: 摩擦辊在玻璃基板上摩擦时, 布毛容易刮起配向膜而产生细小的PI碎屑。为此本文从摩擦强度、单辊摩擦和光配向工艺进行实验, 实验结果显示: 对于改善细小的PI碎屑最优工艺为光配向, 异物不良由2.34%降至0.41%。在最优的光配向工艺条件下继续优化清洗机条件: 在高压气液混合喷射(HPMJ)的压力8 MPa、清洗机速度6 600 mm/min和风刀喷淋(AK Shower)打开条件下异物不良降至0.16%, 改善效果明显。

TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display)行业中, 在对屏进行切割、搬运过程中, 容易造成屏边缘破损。当破损位置刚好位于屏点银胶位置时, 银胶会通过破损进入, 与黑矩阵(Black matrix, BM)接触, 使黑矩阵带电形成干扰电场, 从而使液晶偏转异常而产生发绿不良。切割工艺中, 增加辅胶涂覆可以使切割后的空白条更稳定, 从而减少搬运过程中摩擦、碰撞导致的屏边缘破损, 从而降低不良发生率, 导入后不良发生率由5.6%下降到1.5%。屏单侧点银胶是一种具有可行性的不良改善临时措施, 但不具有量产导入性。通过对比相似产品银胶点位设计及产线工艺条件调查, 得出当银胶点距离屏边缘≥4 mm时, 可有效防止发绿不良的发生。在点银胶侧BM区域进行挖槽, 使银胶与BM隔离开, 可彻底避免静电由银胶导入黑矩阵。黑矩阵挖槽设计导入后, 发绿不良降低为0%, 不良彻底解决。

Rubbing Mura是以接触式摩擦工艺生产TFT_LCD产品时常见的顽固缺陷，尤其在HADS产品上不良发生率更高。本文对Rubbing Mura产生的原因及机理进行分析，发现该不良由TFT基板上的源极线(Source Data，SD)附近的Rubbing弱区漏光引起。研究了Rubbing强度(Nip值)、Rubbing布型号、Rubbing布寿命、黑矩阵(Black Matrix，BM)加宽和SD减薄对HADS产品的Rubbing Mura的影响，选择最优的工艺条件，Rubbing Mura的不良发生率由2.4%降至0%，改善效果明显。

为降低TFT-LCD生产过程中切换残影不良的发生率, 在考虑残影的主要影响因素基础上, 采用实验设计(DOE) 中的部分因子实验设计筛选该不良的显著因子, 结合生产实际开展切换残影的改善研究工作。研究结果表明: DOE方法能有效辨别残影不良的显著因子有覆盖层(Over coater, OC)、重叠部分(ITO-Vcom Overlay, OL)和摩擦扭转力(Rubbing Torque), 在实际生产的不良改善过程中, 彩膜玻璃(Color Filter, CF)增加OC、加大OL和提高Rubbing Torque值均能有效降低残影不良发生率; 研究结果为切换残影和改善TFT-LCD生产过程中其他不良提供了新思路。