TFT-LCD的摩擦工艺中, 容易产生摩擦Mura、L0 条形不均、摩擦划伤等不良。分析及验证发现: 摩擦Mura的发生与摩擦强度较弱, 聚酰亚胺膜配向力不足引起像素漏光相关。选择摩擦强度好的尼龙布, 并控制摩擦布寿命在100张基板以下, 可以有效控制不良的发生。通过工艺调整加强摩擦强度时需考虑Zara发生情况, 选择摩擦Mura和Zara总体发生较低的摩擦强度是必要的。采用摩擦辊垂直基板短边设计, 可一定程度控制摩擦Mura的发生; 长条型像素设计可从源头防止漏光产生。产品设计时避免显示区延伸区域大块金属的干涉可一定程度防止条形不均发生, 以信号层作为绑定IC引线较之开关层做引线对条形不均改善有更好的效果。棉布的棉籽剪裁、摩擦设备机台的及时有效清洁、基板来料的超声波清洗是防止摩擦划伤发生的有效保证。

异物是TFT-LCD制程常见的顽固缺陷, 在高世代线(8.5代线)以摩擦工艺生产mobile产品时不良发生率更高。本文针对8.5代线生产Mobile产品时所产生的异物进行原因及机理分析, 发现该异物来源于摩擦制程, 产生机理为: 摩擦辊在玻璃基板上摩擦时, 布毛容易刮起配向膜而产生细小的PI碎屑。为此本文从摩擦强度、单辊摩擦和光配向工艺进行实验, 实验结果显示: 对于改善细小的PI碎屑最优工艺为光配向, 异物不良由2.34%降至0.41%。在最优的光配向工艺条件下继续优化清洗机条件: 在高压气液混合喷射(HPMJ)的压力8 MPa、清洗机速度6 600 mm/min和风刀喷淋(AK Shower)打开条件下异物不良降至0.16%, 改善效果明显。

TFT-LCD(Thin film transistor-liquid crystal display)行业中, 在对屏进行切割、搬运过程中, 容易造成屏边缘破损。当破损位置刚好位于屏点银胶位置时, 银胶会通过破损进入, 与黑矩阵(Black matrix, BM)接触, 使黑矩阵带电形成干扰电场, 从而使液晶偏转异常而产生发绿不良。切割工艺中, 增加辅胶涂覆可以使切割后的空白条更稳定, 从而减少搬运过程中摩擦、碰撞导致的屏边缘破损, 从而降低不良发生率, 导入后不良发生率由5.6%下降到1.5%。屏单侧点银胶是一种具有可行性的不良改善临时措施, 但不具有量产导入性。通过对比相似产品银胶点位设计及产线工艺条件调查, 得出当银胶点距离屏边缘≥4 mm时, 可有效防止发绿不良的发生。在点银胶侧BM区域进行挖槽, 使银胶与BM隔离开, 可彻底避免静电由银胶导入黑矩阵。黑矩阵挖槽设计导入后, 发绿不良降低为0%, 不良彻底解决。

在TFT-LCD（Thin film transistor-liquid crystal display）行业中, 进行摩擦工艺制程时, 玻璃基板与机台接触、分离; 摩擦辊与玻璃基板摩擦、摩擦机台顶针上升过程, 都容易产生静电击穿。针对一款在摩擦工艺过程中产生静电的GOA(Gate driver on Array)产品,结合摩擦工艺参数、生产环境, 进行了一系列静电相关验证。验证发现: 摩擦工艺中摩擦布寿命、环境湿度对静电发生影响很大。摩擦布寿命越靠后, 静电越容易发生; 湿度越大, 静电越不容易发生。摩擦机台顶针上升速度、摩擦布类型也对静电发生有一定影响, 顶针缓慢上升, 静电不容易发生; 摩擦棉布较尼龙布静电效果相对较好。而针对摩擦工艺发生的静电失效不良,光配向替代是一种根本的解决方法,导入光配向工艺后, 摩擦相关静电失效不良由量产6.8%下降为0%。

黑Gap是大尺寸TFT-LCD产品常见的一种不良，它直接影响产品品质，降低产品竞争力。本文分析了黑Gap的发生原因及机理，指出面板放在卡夹中受到与卡夹接触点较强外力挤压后发生形变，柱状隔垫物受损，不能及时恢复导致黑Gap的发生。实验表明管控面板在卡夹中的存放时间，限制面板进行加热或降低加热温度，减少加热时间; 增加面板与卡夹接触面积，减小面板与卡夹的接触角; 增加柱状隔垫物与面板接触密度及辅助柱状隔垫物顶面柱径大小均可有效改善黑Gap。通过导入以上措施，使得黑Gap发生率由改善前的8.58%降低至0.1%，大大提高了产品品质。

Rubbing Mura是以接触式摩擦工艺生产TFT_LCD产品时常见的顽固缺陷，尤其在HADS产品上不良发生率更高。本文对Rubbing Mura产生的原因及机理进行分析，发现该不良由TFT基板上的源极线(Source Data，SD)附近的Rubbing弱区漏光引起。研究了Rubbing强度(Nip值)、Rubbing布型号、Rubbing布寿命、黑矩阵(Black Matrix，BM)加宽和SD减薄对HADS产品的Rubbing Mura的影响，选择最优的工艺条件，Rubbing Mura的不良发生率由2.4%降至0%，改善效果明显。