1 厦门理工学院 光电与通信工程学院, 福建 厦门 361024
2 福建省光电技术与器件重点实验室(厦门理工学院), 福建 厦门 361024
3 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
通过理论计算获得ZnTe/Si(211)与ZnTe/GaAs(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径, 并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现, 在(211)面上进行异质外延, 两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈现各向异性, 且沿两个方向上的表面曲率半径亦存在差异。ZnTe/GaAs(211)样品的激光干涉测量结果与理论计算较为吻合, 均为同一数量级的表面曲率半径方向为负的张应变, ZnTe/Si(211)样品的测量结果则存在较大差异。由于Si衬底在高温脱氧的过程中产生了表面曲率半径方向为正的塑性形变, 在一定程度上降低了外延ZnTe后异质结构的弯曲程度, 减小了热失配应变。
热应变 异质结构 thermal strain ZnTe ZnTe Si Si GaAs GaAs heterostructure 红外与激光工程
2016, 45(12): 1221003
1 中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083
2 中国科学院研究生院,北京,100039
3 中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083??br>
利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/Si(211)材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe缓冲层的剪切应变状况进行了分析.研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,[1-1-1]、[01-1]两个方向的剪切角γ[1-1-1]和γ[01-1]都有变小的趋势,且γ[1-1-1]的大小约为γ[01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si结构,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变.
倒易点二维扫描图 剪切应变 分子束外延 CdTe/Si
1 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料器件研究中心及国家红外物理重点实验室,上海,200083
2 中国科学院研究生院,北京,100864
报道了用MBE的方法,在3英寸Si衬底上制备ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料的初步研究结果,该研究结果将能够直接应用于大面积Si基HgCdTe IRFPA材料的生长.经过Si(211)衬底低温表面处理、ZnTe低温成核、高温退火、高温ZnTe、CdTe层的生长研究,用MBE方法成功地获得了3英寸Si基ZnTe/CdTe(211)B复合衬底材料.CdTe厚度大于10μm,XRD FWHM平均值为120 arc sec,最好达到100 arc sec,无(133)孪晶和其他多晶晶向.
分子束外延 碲化镉 硅基 MBE CdTe Si substrate
1 中国科学院上海技术物理研究所,功能材料与器件研究中心,上海,200083
2 中国科学院上海技术物理研究??功能材料与器件研究中心,上海,200083
对不同衬底上外延生长的HgCdTe薄膜进行了倒易点二维图测试,分析了外延层与衬底之间的结构取向关系以及晶格常数的失配现象.通过测定Cd1-yZnyTe衬底上的HgCdTe外延层的应变弛豫状况,获得了晶格匹配条件时衬底Zn组分的准确值.实验结果还表明: HgCdTe外延层与晶格失配的衬底之间存在着倾角,该倾角随失配度的增大而增大;当衬底失配度较小时,非对称倒易点二维图显示外延层并不处于全应变状态,而是处于应力部分释放状态;相反,当外延层晶格失配产生的应?θ渴头攀?外延层包含着较大的失配位错,摇摆曲线半峰宽展宽较大.
Cd1-yZnyTe衬底 倒易点二维图 失配位错 摇摆曲线半峰宽 HgCdTe HgCdTe Cd 1-yZn yTe substrate reciprocal lattice mapping misfit dislocation FWHM
